一种N型聚合物半导体材料、制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011390292.6

申请日：

2020-12-02

公开(公告)号：

CN112480376B

公开(公告)日：

2021-03-12

发明(设计)人：

冯逸丰袁建宇李斌袁鑫

申请人：

申请人地址：

215137 江苏省苏州市相城区济学路8号

IPC主分类号：

C08G6112

IPC分类号：

H01L5142 H01L5146

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

陶海锋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	授权	授权
2021-03-12	公开	公开
2021-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08G 61/12 申请日:20201202

共 50 条

[1]

一种共轭聚合物半导体材料、制备方法及应用 [P].

袁建宇 ;

马万里 .

中国专利 :CN105237749B ,2016-01-13

[2]

一种共轭聚合物半导体材料、制备方法及应用 [P].

袁建宇 ;

马万里 .

中国专利 :CN103467710A ,2013-12-25

[3]

一种全共轭嵌段聚合物半导体材料、制备方法及应用 [P].

袁鑫 ;

袁建宇 ;

冯逸丰 ;

张琪麟 ;

李斌 .

中国专利 :CN112266468B ,2021-01-26

[4]

一种P型聚合物半导体材料及其制备方法和应用 [P].

郭旭岗 ;

虞坚炜 ;

杨杰 ;

周鑫 .

中国专利 :CN109651599A ,2019-04-19

[5]

D-A型聚合物半导体材料及其制备方法与应用 [P].

孟鸿 ;

张小涛 ;

苑晓 ;

闫丽佳 .

中国专利 :CN103450462B ,2013-12-18

[6]

一种D-A型聚合物半导体材料及其制备方法与应用 [P].

孟鸿 ;

张小涛 ;

苑晓 ;

闫丽佳 .

中国专利 :CN103483558A ,2014-01-01

[7]

一种聚合物半导体材料和制备方法及其用途 [P].

李坚 ;

米衡 .

中国专利 :CN102786669A ,2012-11-21

[8]

一种本征低熔点聚合物半导体材料及其制备方法和应用 [P].

赵岩 ;

张瑜 ;

王芝慧 ;

陆雪峰 ;

常东东 ;

刘云圻 .

中国专利 :CN119859250B ,2025-11-25

[9]

一种本征低熔点聚合物半导体材料及其制备方法和应用 [P].

赵岩 ;

张瑜 ;

王芝慧 ;

陆雪峰 ;

常东东 ;

刘云圻 .

中国专利 :CN119859250A ,2025-04-22

[10]

一种吡嗪稠和噻吩酰亚胺基n型聚合物半导体材料及其制备方法与应用 [P].

郭旭岗 ;

马苏翔 ;

冯奎 ;

王俊玮 ;

张昊 .

中国专利 :CN115028809A ,2022-09-09

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