一种利用体相层状过渡金属硫化物制备非层状二维过渡金属化合物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110845552.2

申请日：

2021-07-26

公开(公告)号：

CN113479855B

公开(公告)日：

2021-10-08

发明(设计)人：

霍开富宋豪张旭明任玉磊

申请人：

申请人地址：

430081 湖北省武汉市青山区和平大道947号

IPC主分类号：

C01B2106

IPC分类号：

C01B32949

代理机构：

武汉世跃专利代理事务所(普通合伙) 42273

代理人：

邬丽明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-08	公开	公开
2022-11-22	授权	授权
2021-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 21/06 申请日:20210726

共 50 条

[1]

一种二维层状过渡金属化合物的制备方法 [P].

张军 ;

曹博 ;

刘宝仓 ;

荆鹏 ;

成艳 .

中国专利 :CN109879260A ,2019-06-14

[2]

一种制备二维层状过渡金属硫化物的制备方法 [P].

何青 ;

赵征志 ;

邵雅斌 ;

章志涛 ;

章冬雯 ;

蒋浩 ;

符兴玉 ;

李雅 .

中国专利 :CN111333040A ,2020-06-26

[3]

基于分子束外延的二维层状过渡金属硫化物的制备方法 [P].

张昆鹏 ;

李浩浩 ;

马亚中 ;

王静宇 ;

梅一多 ;

王远航 ;

张文萍 ;

葛标 .

中国专利 :CN115323483A ,2022-11-11

[4]

一种二维过渡金属化合物纳米片的制备方法 [P].

霍开富 ;

谭茂梁 ;

霍瑞 ;

宋豪 ;

李文海 .

中国专利 :CN118108254A ,2024-05-31

[5]

一种过渡金属硫化物二维材料的制备方法 [P].

姜栋 ;

王琴琴 ;

伏彦龙 ;

高晓明 ;

赵旭 ;

胡明 ;

王德生 ;

杨军 ;

刘志鲁 ;

郭龙帮 ;

孙嘉奕 ;

翁立军 .

中国专利 :CN118028741A ,2024-05-14

[6]

一种生长单晶二维过渡金属硫化物的方法 [P].

邹贵付 ;

朱俊桐 ;

蒋怡宁 ;

戴晓 ;

赵杰 ;

易庆华 .

中国专利 :CN108455673A ,2018-08-28

[7]

用于生产过渡金属化合物的方法、过渡金属化合物及其用途 [P].

G·沃格特 ;

H·博克 ;

K·T·费尔 .

中国专利 :CN104968600A ,2015-10-07

[8]

含锂的过渡金属硫化物化合物 [P].

杰里米·巴克尔 ;

艾玛·肯德里克 .

中国专利 :CN102177094A ,2011-09-07

[9]

含锂的过渡金属硫化物化合物 [P].

杰里米·巴克尔 ;

艾玛·肯德里克 .

中国专利 :CN102177607A ,2011-09-07

[10]

含锂的过渡金属硫化物化合物 [P].

杰里米·巴克尔 ;

艾玛·肯德里克 .

中国专利 :CN102186777A ,2011-09-14

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