基于分子束外延的二维层状过渡金属硫化物的制备方法

被引：0

申请号：

CN202210736263.3

申请日：

2022-06-27

公开(公告)号：

CN115323483A

公开(公告)日：

2022-11-11

发明(设计)人：

张昆鹏李浩浩马亚中王静宇梅一多王远航张文萍葛标

申请人：

申请人地址：

100085 北京市海淀区中关村南大街5号海淀科技大厦

IPC主分类号：

C30B2302

IPC分类号：

C30B2946 H01L2102

代理机构：

北京唯智勤实知识产权代理事务所(普通合伙) 11557

代理人：

孙姣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-11	公开	公开
2022-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 23/02 申请日:20220627

共 50 条

[1]

一种制备二维层状过渡金属硫化物的制备方法 [P].

何青 ;

赵征志 ;

邵雅斌 ;

章志涛 ;

章冬雯 ;

蒋浩 ;

符兴玉 ;

李雅 .

中国专利 :CN111333040A ,2020-06-26

[2]

一种利用体相层状过渡金属硫化物制备非层状二维过渡金属化合物的方法 [P].

霍开富 ;

宋豪 ;

张旭明 ;

任玉磊 .

中国专利 :CN113479855B ,2021-10-08

[3]

一种二维过渡金属硫化物及其制备方法 [P].

黄亮 ;

裴渊韬 ;

张海军 ;

韩磊 ;

张少伟 .

中国专利 :CN108191431B ,2018-06-22

[4]

一种过渡金属硫化物二维材料的制备方法 [P].

姜栋 ;

王琴琴 ;

伏彦龙 ;

高晓明 ;

赵旭 ;

胡明 ;

王德生 ;

杨军 ;

刘志鲁 ;

郭龙帮 ;

孙嘉奕 ;

翁立军 .

中国专利 :CN118028741A ,2024-05-14

[5]

一种制备单层二维过渡金属硫化物材料的方法 [P].

时玉萌 ;

李贺楠 ;

姚慧珍 ;

陈龙龙 .

中国专利 :CN108083339A ,2018-05-29

[6]

一种生长单晶二维过渡金属硫化物的方法 [P].

邹贵付 ;

朱俊桐 ;

蒋怡宁 ;

戴晓 ;

赵杰 ;

易庆华 .

中国专利 :CN108455673A ,2018-08-28

[7]

基于层状过渡金属硫化物的柔性光电探测器及其制备方法 [P].

坚佳莹 ;

董芃凡 ;

常洪龙 ;

坚增运 .

中国专利 :CN110676332B ,2020-01-10

[8]

基于天线结构的二维过渡金属硫化物气体传感器及制备 [P].

张有为 ;

马衎衎 ;

张卜天 ;

陈巧 ;

王顺 .

中国专利 :CN109580725B ,2019-04-05

[9]

一种二维过渡金属硫化物的可控相转变方法 [P].

欧阳方平 ;

高宏军 ;

周喻 ;

熊翔 .

中国专利 :CN111285400B ,2020-06-16

[10]

一种二维过渡金属硫化物及其制备方法和应用 [P].

刘碧录 ;

吴沁柯 ;

农慧雨 ;

王经纬 ;

成会明 .

中国专利 :CN114959636B ,2024-04-09

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