基于层状过渡金属硫化物的柔性光电探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910864259.3

申请日：

2019-09-12

公开(公告)号：

CN110676332B

公开(公告)日：

2020-01-10

发明(设计)人：

坚佳莹董芃凡常洪龙坚增运

申请人：

申请人地址：

710032 陕西省西安市未央区学府中路2号

IPC主分类号：

H01L31032

IPC分类号：

H01L310392 H01L31108 H01L3118

代理机构：

西安新思维专利商标事务所有限公司 61114

代理人：

黄秦芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/032 申请日:20190912
2020-01-10	公开	公开
2021-07-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种制备单层过渡金属二硫化物柔性光电探测器的方法 [P].

坚佳莹 ;

岳皎洁 ;

董芃凡 ;

骆磊 ;

白泽文 ;

常洪龙 ;

坚增运 .

中国专利 :CN110611012A ,2019-12-24

[2]

一种二维过渡金属硫化物薄膜的纳米卷的光电探测器 [P].

陈朔 ;

杨诚 ;

聂文广 .

中国专利 :CN110021674A ,2019-07-16

[3]

基于过渡金属硫化物的忆阻器及其制备方法 [P].

张跃 ;

于沛霖 ;

廖庆亮 ;

赵璇 ;

荀晓晨 ;

宜景悦 ;

张珂语 .

中国专利 :CN119343049A ,2025-01-21

[4]

一种二维碲和过渡金属硫化物的PN结型自驱动光电探测器及其制备方法 [P].

张跃 ;

于慧慧 ;

张铮 ;

张先坤 ;

王玉南 ;

曹志宏 ;

高丽 ;

洪孟羽 ;

汤文辉 ;

卫孝福 .

中国专利 :CN114551632A ,2022-05-27

[5]

基于分子束外延的二维层状过渡金属硫化物的制备方法 [P].

张昆鹏 ;

李浩浩 ;

马亚中 ;

王静宇 ;

梅一多 ;

王远航 ;

张文萍 ;

葛标 .

中国专利 :CN115323483A ,2022-11-11

[6]

一种Mg掺杂增强过渡金属硫化物基可见光探测器及其制备方法 [P].

李国强 ;

曹犇 ;

郑昱林 ;

唐鑫 .

中国专利 :CN114242817B ,2024-10-11

[7]

一种Mg掺杂增强过渡金属硫化物基可见光探测器及其制备方法 [P].

李国强 ;

曹犇 ;

郑昱林 ;

唐鑫 .

中国专利 :CN114242817A ,2022-03-25

[8]

一种利用体相层状过渡金属硫化物制备非层状二维过渡金属化合物的方法 [P].

霍开富 ;

宋豪 ;

张旭明 ;

任玉磊 .

中国专利 :CN113479855B ,2021-10-08

[9]

一种制备二维层状过渡金属硫化物的制备方法 [P].

何青 ;

赵征志 ;

邵雅斌 ;

章志涛 ;

章冬雯 ;

蒋浩 ;

符兴玉 ;

李雅 .

中国专利 :CN111333040A ,2020-06-26

[10]

一种基于硒化物/硫化物异质结的柔性光电探测器的制备方法 [P].

黄文 ;

唐雨晴 ;

龚天巡 ;

林媛 ;

张晓升 .

中国专利 :CN113035965A ,2021-06-25

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