基于过渡金属硫化物的忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411236495.8

申请日：

2024-09-04

公开(公告)号：

CN119343049A

公开(公告)日：

2025-01-21

发明(设计)人：

张跃于沛霖廖庆亮赵璇荀晓晨宜景悦张珂语

申请人：

北京科技大学

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路30号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

H10N70/20

代理机构：

沈阳中宇天信专利代理有限公司 21248

代理人：

肇文丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

辽宁省葫芦岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20240904
2025-12-02	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H10N 70/00变更事项:发明人变更前:张跃于沛霖廖庆亮赵璇荀晓晨宜景悦张珂语变更后:张跃于沛霖廖庆亮赵璇荀晓晨宣景悦张珂语
2025-01-21	公开	公开

共 50 条

[1]

过渡金属硫化物纳米颗粒及其制备方法 [P].

赵斌 .

中国专利 :CN110240206A ,2019-09-17

[2]

基于富硫过渡金属硫化物的金属-硫电池及其制备方法 [P].

李彦光 ;

叶华林 .

中国专利 :CN106898750B ,2017-06-27

[3]

一种过渡金属硫化物及其制备方法 [P].

朱慧平 ;

熊国栋 ;

李博 ;

王磊 ;

郑中山 ;

李梦达 .

中国专利 :CN115818717B ,2024-12-17

[4]

过渡金属硫化物改性电极及其制备方法与应用 [P].

丁美 ;

闫苏 ;

贾传坤 .

中国专利 :CN114614030A ,2022-06-10

[5]

过渡金属硫化物改性电极及其制备方法与应用 [P].

丁美 ;

闫苏 ;

贾传坤 .

中国专利 :CN114614030B ,2024-06-07

[6]

过渡金属硫化物复合电极、其制备方法及其应用 [P].

张楠 ;

赵凤 ;

李悦 ;

黄珊珊 .

中国专利 :CN113529120A ,2021-10-22

[7]

一种过渡金属硫化物及其制备方法 [P].

朱慧平 ;

熊国栋 ;

李博 ;

王磊 ;

郑中山 ;

李梦达 .

中国专利 :CN115820251B ,2024-04-05

[8]

一种单层过渡金属硫化物的制备方法 [P].

刘松 ;

刘航 .

中国专利 :CN111285402B ,2020-06-16

[9]

锂过渡金属硫化物的合成方法 [P].

A·G·里奇 ;

P·G·鲍尔斯 .

中国专利 :CN1210826C ,2004-04-14

[10]

基于层状过渡金属硫化物的柔性光电探测器及其制备方法 [P].

坚佳莹 ;

董芃凡 ;

常洪龙 ;

坚增运 .

中国专利 :CN110676332B ,2020-01-10

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