一种单层过渡金属硫化物的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010302906.4

申请日：

2020-04-17

公开(公告)号：

CN111285402B

公开(公告)日：

2020-06-16

发明(设计)人：

刘松刘航

申请人：

申请人地址：

410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门

IPC主分类号：

C01G4100

IPC分类号：

代理机构：

长沙大珂知识产权代理事务所(普通合伙) 43236

代理人：

伍志祥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-16	公开	公开
2021-06-15	授权	授权
2020-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 41/00 申请日:20200417

共 50 条

[1]

一种单层过渡金属硫化物的制备方法 [P].

谢黎明 ;

巩凡 .

中国专利 :CN110607561A ,2019-12-24

[2]

过渡金属硫化物纳米球的制备及应用 [P].

吴则星 ;

宋敏 ;

张紫金 ;

王帅 ;

刘希恩 .

中国专利 :CN110028107A ,2019-07-19

[3]

一种过渡金属硫化物合金制备方法 [P].

王一菁 ;

袁华堂 ;

焦丽芳 ;

宋大卫 ;

王亚平 ;

刘光 ;

任秋丽 .

中国专利 :CN101423200B ,2009-05-06

[4]

一种硒掺杂过渡金属硫化物单层薄膜及其制备方法 [P].

向斌 ;

伏启 ;

杨雷 .

中国专利 :CN104649326A ,2015-05-27

[5]

过渡金属硫化物纳米颗粒及其制备方法 [P].

赵斌 .

中国专利 :CN110240206A ,2019-09-17

[6]

一种模拟化学气相沉积生长单层过渡金属硫化物的方法 [P].

邵鹏 ;

赵梓利 ;

丁利苹 ;

张辉 ;

张方辉 ;

雷涛 ;

田董昀昊 .

中国专利 :CN112342523B ,2021-02-09

[7]

一种提高单层过渡金属硫化物材料发光性能的方法 [P].

姚慧珍 ;

陈龙龙 ;

张文静 ;

时玉萌 .

中国专利 :CN107313024B ,2017-11-03

[8]

一种过渡金属硫化物催化材料的制备方法及其催化应用 [P].

梁长海 ;

金鑫 ;

张秋民 ;

伊艳娇 .

中国专利 :CN101658792A ,2010-03-03

[9]

一种钠离子电池柔性过渡金属硫化物负极材料的制备方法 [P].

马向东 ;

熊训辉 ;

罗煜翔 ;

范梦娜 ;

杨成浩 ;

刘美林 .

中国专利 :CN110165173B ,2019-08-23

[10]

一种过渡金属硫化物/石墨烯复合纳米材料的制备方法 [P].

陈伟凡 ;

刘越 ;

刘铭 ;

王琳琳 ;

卓明鹏 .

中国专利 :CN103623844B ,2014-03-12

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