一种模拟化学气相沉积生长单层过渡金属硫化物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011119208.7

申请日：

2020-10-19

公开(公告)号：

CN112342523B

公开(公告)日：

2021-02-09

发明(设计)人：

邵鹏赵梓利丁利苹张辉张方辉雷涛田董昀昊

申请人：

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

C23C1652 C23C1656 C01G3906

代理机构：

西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223

代理人：

梁静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-16	授权	授权
2021-03-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/30 申请日:20201019
2021-02-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种提高单层过渡金属硫化物材料发光性能的方法 [P].

姚慧珍 ;

陈龙龙 ;

张文静 ;

时玉萌 .

中国专利 :CN107313024B ,2017-11-03

[2]

过渡金属硫化物对电极的制备及应用 [P].

王育乔 ;

白一超 ;

杨大伟 ;

孙岳明 .

中国专利 :CN105845444A ,2016-08-10

[3]

一种化学气相沉积法构造半导体与金属硫化物异质电极的方法 [P].

许小勇 ;

赵恒 ;

潘楼 ;

王成忠 .

中国专利 :CN110629195A ,2019-12-31

[4]

基于两步可控制备过渡金属硫化物异质结的方法 [P].

王育乔 ;

刘亚娟 ;

刘美婷 ;

张春耀 ;

孙岳明 .

中国专利 :CN109767920B ,2019-05-17

[5]

一种单层过渡金属硫化物的制备方法 [P].

刘松 ;

刘航 .

中国专利 :CN111285402B ,2020-06-16

[6]

一种制备单层过渡金属二硫化物柔性光电探测器的方法 [P].

坚佳莹 ;

岳皎洁 ;

董芃凡 ;

骆磊 ;

白泽文 ;

常洪龙 ;

坚增运 .

中国专利 :CN110611012A ,2019-12-24

[7]

一种单层过渡金属硫化物的制备方法 [P].

谢黎明 ;

巩凡 .

中国专利 :CN110607561A ,2019-12-24

[8]

交替注入反应物生长单层和多层过渡金属硫化物的方法 [P].

张天宁 ;

陈鑫 ;

张克难 ;

俞伟伟 ;

孙艳 ;

戴宁 .

中国专利 :CN105800566A ,2016-07-27

[9]

一种生长单晶二维过渡金属硫化物的方法 [P].

邹贵付 ;

朱俊桐 ;

蒋怡宁 ;

戴晓 ;

赵杰 ;

易庆华 .

中国专利 :CN108455673A ,2018-08-28

[10]

一种制备单层二维过渡金属硫化物材料的方法 [P].

时玉萌 ;

李贺楠 ;

姚慧珍 ;

陈龙龙 .

中国专利 :CN108083339A ,2018-05-29

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