一种化学气相沉积法构造半导体与金属硫化物异质电极的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910920771.5

申请日：

2019-09-27

公开(公告)号：

CN110629195A

公开(公告)日：

2019-12-31

发明(设计)人：

许小勇赵恒潘楼王成忠

申请人：

申请人地址：

225009 江苏省扬州市大学南路88号

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

C25B104 C25B1103 C25B1106

代理机构：

扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222

代理人：

许必元

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-31	公开	公开
2020-01-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/30 申请日:20190927
2022-05-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 16/30 申请公布日:20191231

共 50 条

[1]

一种模拟化学气相沉积生长单层过渡金属硫化物的方法 [P].

邵鹏 ;

赵梓利 ;

丁利苹 ;

张辉 ;

张方辉 ;

雷涛 ;

田董昀昊 .

中国专利 :CN112342523B ,2021-02-09

[2]

化学气相沉积法用成膜助剂、化学气相沉积法用涂布液、金属氧化物膜及金属氧化物膜的成膜方法 [P].

佐藤享平 ;

藤村俊伸 ;

中里克己 ;

饭塚宗明 .

日本专利 :CN119677894A ,2025-03-21

[3]

一种制备过渡金属硫化物的金属与半导体异质结结构的方法 [P].

李贺楠 ;

龚雪 ;

时玉萌 ;

李捷妮 .

中国专利 :CN108389778A ,2018-08-10

[4]

用于形成金属氧化物薄膜的使用醇的化学气相沉积法 [P].

闵约赛 ;

曹永真 ;

李正贤 .

中国专利 :CN1234907C ,2003-10-15

[5]

用于电化学储锂的金属硫化物复合电极的制备方法 [P].

丛日东 ;

刘啸宇 ;

于威 ;

王晓瑶 ;

张宇凡 ;

刘彦良 .

中国专利 :CN111987291B ,2020-11-24

[6]

一种半导体化学气相沉积支架 [P].

王宜 .

中国专利 :CN212864963U ,2021-04-02

[7]

一种半导体化学气相沉积支架 [P].

吉学东 .

中国专利 :CN210575892U ,2020-05-19

[8]

一种基于化学气相沉积的半导体复合材料的制备方法 [P].

吴亿 ;

相倩 ;

李凡 ;

陈文龙 ;

马艳玲 ;

施枫磊 ;

邬剑波 ;

邓涛 ;

陶鹏 ;

宋成轶 ;

尚文 .

中国专利 :CN110508296A ,2019-11-29

[9]

一种化学气相沉积法装置 [P].

李雪松 ;

王跃 ;

青芳竹 .

中国专利 :CN109371382A ,2019-02-22

[10]

钨金属化学气相沉积法中原子层沉积的方法 [P].

吴启明 ;

眭晓林 .

中国专利 :CN1436876A ,2003-08-20

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