用于形成金属氧化物薄膜的使用醇的化学气相沉积法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03103568.X

申请日：

2003-01-29

公开(公告)号：

CN1234907C

公开(公告)日：

2003-10-15

发明(设计)人：

闵约赛曹永真李正贤

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

贾静环;宋莉

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-04-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101063893962 IPC(主分类):C23C 16/30 专利号:ZL03103568X 申请日:20030129 授权公告日:20060104 终止日期:20100129
2003-10-15	公开	公开
2004-04-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-01-04	授权	授权

共 50 条

[1]

化学气相沉积法用成膜助剂、化学气相沉积法用涂布液、金属氧化物膜及金属氧化物膜的成膜方法 [P].

佐藤享平 ;

藤村俊伸 ;

中里克己 ;

饭塚宗明 .

日本专利 :CN119677894A ,2025-03-21

[2]

掺锑的金属氧化物的化学气相沉积 [P].

M·P·小雷明顿 .

中国专利 :CN1263696C ,2004-09-22

[3]

用于沉积钛氧化物涂层的化学气相沉积工艺 [P].

S·瓦拉纳西 ;

J·倪 ;

D·M·尼尔森 .

中国专利 :CN106687423B ,2017-05-17

[4]

金属氧化物超导薄膜的化学气相快速沉积工艺 [P].

陶卫 ;

吴自良 .

中国专利 :CN1078327A ,1993-11-10

[5]

用于非晶态硅和形成的薄膜的化学气相沉积法 [P].

J·A·泰尔 ;

G·J·科伊 ;

R·P·瓦赫瑟 .

中国专利 :CN1238555C ,2002-03-13

[6]

金属氧化物薄膜，沉积金属氧化物薄膜的方法及包含金属氧化物薄膜的装置 [P].

一杉太郎 .

中国专利 :CN107074662B ,2017-08-18

[7]

由铱配合物构成的化学气相沉积用原料及使用该化学气相沉积用原料的化学气相沉积法 [P].

原田了辅 ;

重富利幸 ;

铃木和治 .

中国专利 :CN110431253A ,2019-11-08

[8]

利用脉冲式化学气相沉积的金属氧化物的选择性沉积 [P].

基思·塔特森·王 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

安德鲁·C·库梅尔 ;

尤尼尔·曺 ;

詹姆斯·黄 .

中国专利 :CN115698371A ,2023-02-03

[9]

利用脉冲式化学气相沉积的金属氧化物的选择性沉积 [P].

基思·塔特森·王 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

安德鲁·C·库梅尔 ;

尤尼尔·曺 ;

詹姆斯·黄 .

美国专利 :CN120249923A ,2025-07-04

[10]

利用脉冲式化学气相沉积的金属氧化物的选择性沉积 [P].

基思·塔特森·王 ;

斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ;

安德鲁·C·库梅尔 ;

尤尼尔·曺 ;

詹姆斯·黄 .

美国专利 :CN115698371B ,2025-03-21

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