用于非晶态硅和形成的薄膜的化学气相沉积法

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专利类型
发明
申请号
CN01121189.X
申请日
2001-06-12
公开(公告)号
CN1238555C
公开(公告)日
2002-03-13
发明(设计)人
J·A·泰尔 G·J·科伊 R·P·瓦赫瑟
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚
IPC主分类号
C23C1624
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
卢新华;杨九昌
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
用于形成金属氧化物薄膜的使用醇的化学气相沉积法 [P]. 
闵约赛 ;
曹永真 ;
李正贤 .
中国专利 :CN1234907C ,2003-10-15
[2]
非晶硅薄膜化学气相沉积系统 [P]. 
郭锋 .
中国专利 :CN202201971U ,2012-04-25
[3]
一种生长非晶态硅的方法及所得的非晶态硅薄膜 [P]. 
J·A·泰尔 ;
G·J·科伊 ;
R·P·瓦赫瑟 .
中国专利 :CN100557076C ,2005-08-24
[4]
化学气相沉积用原料及使用了该原料的含硅薄膜形成方法 [P]. 
佐藤宏树 ;
水尾克英 ;
斋藤昭夫 ;
上山润二 .
中国专利 :CN102282291B ,2011-12-14
[5]
PA-SiN的化学气相沉积法 [P]. 
吴宾宾 .
中国专利 :CN1995452A ,2007-07-11
[6]
化学气相沉积法制备薄膜的装置 [P]. 
董才士 .
中国专利 :CN1940131A ,2007-04-04
[7]
化学气相沉积法涂层装置 [P]. 
朴万成 ;
黄宇哲 ;
李成哲 ;
金哲男 ;
金上万 ;
李权星 ;
王宏刚 .
中国专利 :CN202214415U ,2012-05-09
[8]
磁场辅助化学气相沉积法 [P]. 
刘云圻 ;
魏大程 ;
曹灵超 ;
付磊 ;
李祥龙 ;
王钰 ;
于贵 .
中国专利 :CN101190779B ,2008-06-04
[9]
化学气相沉积法涂层装置 [P]. 
朴万成 ;
黄宇哲 ;
李成哲 ;
金哲男 ;
金上万 ;
李权星 ;
王宏刚 .
中国专利 :CN102953049A ,2013-03-06
[10]
由铱配合物构成的化学气相沉积用原料及使用该化学气相沉积用原料的化学气相沉积法 [P]. 
原田了辅 ;
重富利幸 ;
铃木和治 .
中国专利 :CN110431253A ,2019-11-08