一种生长非晶态硅的方法及所得的非晶态硅薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510055906.4

申请日：

2001-06-12

公开(公告)号：

CN100557076C

公开(公告)日：

2005-08-24

发明(设计)人：

J·A·泰尔 G·J·科伊 R·P·瓦赫瑟

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡市

IPC主分类号：

C23C1624

IPC分类号：

C23C1602 C23C1652 C23C16513

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

柳春雷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-10-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-11-04	授权	授权
2008-05-28	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更后权利人:新加坡新加坡市变更前权利人:美国加利福尼亚登记生效日:20080425 变更事项:申请人变更前权利人:安捷伦科技有限公司变更后权利人:安华高科技杰纳勒尔IP(新加坡)私人有限公司变更事项:地址
2014-08-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584293923 IPC(主分类):C23C 16/24 专利号:ZL2005100559064 申请日:20010612 授权公告日:20091104 终止日期:20130612
2005-08-24	公开	公开

共 50 条

[1]

用于非晶态硅和形成的薄膜的化学气相沉积法 [P].

J·A·泰尔 ;

G·J·科伊 ;

R·P·瓦赫瑟 .

中国专利 :CN1238555C ,2002-03-13

[2]

非晶态硅碳氢钝化工艺 [P].

张仿清 ;

张亚非 ;

陈光华 .

中国专利 :CN1035022A ,1989-08-23

[3]

使用非晶态硅感光体的图像形成装置 [P].

石原力 ;

高上爱 .

中国专利 :CN101539735A ,2009-09-23

[4]

制备非晶硅薄膜的方法 [P].

宋利娟 .

中国专利 :CN110970287B ,2020-04-07

[5]

再次沉积的非晶硅薄膜 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101246818A ,2008-08-20

[6]

制备非晶氢硅薄膜的方法及装置 [P].

张溪文 ;

李敏伟 .

中国专利 :CN101066842A ,2007-11-07

[7]

非晶硅薄膜成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 ;

朱兴旺 .

中国专利 :CN107919272A ,2018-04-17

[8]

非晶硅薄膜成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 ;

朱兴旺 .

中国专利 :CN107464743A ,2017-12-12

[9]

一种带有硅纳米线绒面的非/微晶硅薄膜材料的制备方法 [P].

魏钰 ;

左潇 ;

陈龙威 ;

孟月东 .

中国专利 :CN102800749A ,2012-11-28

[10]

采用晶态硅薄膜阻光层的液晶光阀及其制造方法 [P].

韩高荣 ;

韩伟强 ;

杜丕一 ;

丁子上 .

中国专利 :CN1030111C ,1994-03-16

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