制备非晶硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811140963.6

申请日：

2018-09-28

公开(公告)号：

CN110970287B

公开(公告)日：

2020-04-07

发明(设计)人：

宋利娟

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21033

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司 11438

代理人：

董天宝;于宝庆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180928
2020-04-07	公开	公开
2022-12-02	授权	授权

共 50 条

[1]

再次沉积的非晶硅薄膜 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101246818A ,2008-08-20

[2]

一种非晶硅薄膜PECVD法制备方法 [P].

钱佳琪 ;

陈小刚 .

中国专利 :CN112435917A ,2021-03-02

[3]

一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法 [P].

连水养 ;

许嘉巡 ;

赵铭杰 .

中国专利 :CN114686844A ,2022-07-01

[4]

非晶硅薄膜的制备方法 [P].

杨远成 .

中国专利 :CN120719282A ,2025-09-30

[5]

非晶硅薄膜成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 ;

朱兴旺 .

中国专利 :CN107464743A ,2017-12-12

[6]

非晶硅薄膜成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 ;

朱兴旺 .

中国专利 :CN107919272A ,2018-04-17

[7]

非晶硅薄膜的处理方法 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101235490A ,2008-08-06

[8]

一种制备nip结构非晶硅薄膜太阳能电池的方法 [P].

杨培志 ;

庄春泉 ;

褚君浩 .

中国专利 :CN102637781A ,2012-08-15

[9]

氢化非晶硅薄膜制备方法 [P].

周耐根 ;

罗耀榕 ;

周浪 ;

黄海宾 .

中国专利 :CN109545656A ,2019-03-29

[10]

非晶硅与多晶硅薄膜界面钝化及制备SPA结构HIT电池的方法 [P].

李浩 ;

曾湘波 ;

谢小兵 ;

杨萍 ;

李敬彦 ;

张晓东 ;

王启明 .

中国专利 :CN103258919B ,2013-08-21

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