非晶硅与多晶硅薄膜界面钝化及制备SPA结构HIT电池的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310157617.X

申请日：

2013-05-02

公开(公告)号：

CN103258919B

公开(公告)日：

2013-08-21

发明(设计)人：

李浩曾湘波谢小兵杨萍李敬彦张晓东王启明

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3120

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/20 申请日:20130502 授权公告日:20160120 终止日期:20170502
2016-01-20	授权	授权
2013-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101520123150 IPC(主分类):H01L 31/20 专利申请号:201310157617X 申请日:20130502
2013-08-21	公开	公开

共 50 条

[1]

多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

周丽萍 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN102201461A ,2011-09-28

[2]

低温多晶硅薄膜的制备方法 [P].

彭思君 ;

吴建宏 ;

刘冲 ;

严晓龙 .

中国专利 :CN104167349A ,2014-11-26

[3]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

王文 .

中国专利 :CN102956499A ,2013-03-06

[4]

多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅TFT结构 [P].

张良芬 ;

连水池 ;

罗长诚 ;

吴元均 ;

徐源竣 ;

郭海成 ;

王文 ;

陈荣盛 ;

周玮 ;

张猛 .

中国专利 :CN104992899A ,2015-10-21

[5]

用锡诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

孙杰 ;

史伟民 .

中国专利 :CN102243991A ,2011-11-16

[6]

非晶硅薄膜的晶化及多晶硅薄膜的制造方法和装置 [P].

刘萍 .

中国专利 :CN101894747A ,2010-11-24

[7]

一种制备多晶硅薄膜的方法 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

王文 .

中国专利 :CN103762173A ,2014-04-30

[8]

一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜 [P].

高超飞 ;

葛晶涛 ;

刘旭亮 ;

沈文涛 ;

张明照 .

中国专利 :CN108878272A ,2018-11-23

[9]

低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜 [P].

张隆贤 ;

余威 .

中国专利 :CN104404617A ,2015-03-11

[10]

制备非晶硅薄膜的方法 [P].

宋利娟 .

中国专利 :CN110970287B ,2020-04-07

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