氢化非晶硅薄膜制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811187633.2

申请日：

2018-10-12

公开(公告)号：

CN109545656A

公开(公告)日：

2019-03-29

发明(设计)人：

周耐根罗耀榕周浪黄海宾

申请人：

申请人地址：

330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

南昌新天下专利商标代理有限公司 36115

代理人：

施秀瑾

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20181012
2019-03-29	公开	公开

共 50 条

[1]

氢化非晶硅薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

班群 .

中国专利 :CN100527448C ,2007-08-15

[2]

氢化非晶硅光学薄膜制备方法 [P].

谢小静 .

中国专利 :CN108914071A ,2018-11-30

[3]

氢化非晶硅纳米线阵列的制备方法 [P].

王相虎 .

中国专利 :CN103560180A ,2014-02-05

[4]

一种管式PECVD设备制备非晶硅薄膜的方法 [P].

郭艳 ;

黄嘉斌 ;

赵增超 ;

李明 .

中国专利 :CN110429020A ,2019-11-08

[5]

非晶硅薄膜的处理方法 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101235490A ,2008-08-06

[6]

掺氧氢化非晶硅薄膜高效钝化晶硅异质结太阳能电池用硅片的方法 [P].

黄海宾 ;

周浪 ;

沃尔夫冈·法赫纳 ;

张东华 .

中国专利 :CN103590014B ,2014-02-19

[7]

制备非晶硅薄膜的方法 [P].

宋利娟 .

中国专利 :CN110970287B ,2020-04-07

[8]

非晶硅薄膜的制备方法 [P].

杨远成 .

中国专利 :CN120719282A ,2025-09-30

[9]

非晶硅薄膜成膜方法 [P].

王剑敏 ;

葛哲玮 .

中国专利 :CN112331556A ,2021-02-05

[10]

一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法 [P].

王维燕 ;

王林青 ;

黄金华 ;

黄俊俊 ;

曾俞衡 ;

宋伟杰 ;

谭瑞琴 .

中国专利 :CN103346069A ,2013-10-09

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