非晶硅薄膜成膜方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011202115.0

申请日：

2020-11-02

公开(公告)号：

CN112331556A

公开(公告)日：

2021-02-05

发明(设计)人：

王剑敏葛哲玮

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C23C1624 C23C1640 C23C1650

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

焦健

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20201102
2021-02-05	公开	公开

共 50 条

[1]

非晶硅薄膜成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 ;

朱兴旺 .

中国专利 :CN107919272A ,2018-04-17

[2]

非晶硅薄膜成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 ;

朱兴旺 .

中国专利 :CN107464743A ,2017-12-12

[3]

斜坡状非晶硅薄膜成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 ;

朱兴旺 .

中国专利 :CN108383077A ,2018-08-10

[4]

用锡诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

孙杰 ;

史伟民 .

中国专利 :CN102243991A ,2011-11-16

[5]

沉积非晶硅的成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 ;

朱兴旺 .

中国专利 :CN109148263A ,2019-01-04

[6]

氢化非晶硅薄膜制备方法 [P].

周耐根 ;

罗耀榕 ;

周浪 ;

黄海宾 .

中国专利 :CN109545656A ,2019-03-29

[7]

非晶硅的成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 .

中国专利 :CN109285759A ,2019-01-29

[8]

非晶硅热敏薄膜及非制冷非晶硅微测辐射热计的制备方法 [P].

姚日英 ;

王祝山 .

中国专利 :CN102479879A ,2012-05-30

[9]

非晶硅膜的成膜方法及成膜装置 [P].

柿本明修 ;

高木聪 ;

五十岚一将 .

中国专利 :CN102891075B ,2013-01-23

[10]

非晶硅薄膜转晶硅薄膜专用设备 [P].

范继良 .

中国专利 :CN221900025U ,2024-10-25

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