非晶硅的成膜方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811053728.5

申请日：

2018-09-11

公开(公告)号：

CN109285759A

公开(公告)日：

2019-01-29

发明(设计)人：

刘善善朱黎敏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-29	公开	公开
2019-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180911
2021-08-20	授权	授权

共 50 条

[1]

沉积非晶硅的成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 ;

朱兴旺 .

中国专利 :CN109148263A ,2019-01-04

[2]

沉积非晶硅膜的方法 [P].

加施·帕特尔 ;

刘玉菲 .

中国专利 :CN103938179A ,2014-07-23

[3]

非晶硅薄膜成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 ;

朱兴旺 .

中国专利 :CN107919272A ,2018-04-17

[4]

非晶硅薄膜成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 ;

朱兴旺 .

中国专利 :CN107464743A ,2017-12-12

[5]

非晶硅薄膜成膜方法 [P].

王剑敏 ;

葛哲玮 .

中国专利 :CN112331556A ,2021-02-05

[6]

非晶硅膜的成膜方法及成膜装置 [P].

柿本明修 ;

高木聪 ;

五十岚一将 .

中国专利 :CN102891075B ,2013-01-23

[7]

非晶硅膜的形成方法 [P].

辛昌学 ;

崔暎喆 .

中国专利 :CN109841499A ,2019-06-04

[8]

斜坡状非晶硅薄膜成膜方法 [P].

刘善善 ;

朱黎敏 ;

朱兴旺 .

中国专利 :CN108383077A ,2018-08-10

[9]

非晶硅结构的制造方法 [P].

龚昌鸿 ;

胡宗福 ;

胡秀梅 ;

陈建勋 ;

胡展源 .

中国专利 :CN111415907A ,2020-07-14

[10]

非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置 [P].

高桥和也 ;

古泽纯和 ;

冈田充弘 ;

米仓大雅 .

中国专利 :CN104716020A ,2015-06-17

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