非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410764284.1

申请日：

2014-12-11

公开(公告)号：

CN104716020A

公开(公告)日：

2015-06-17

发明(设计)人：

高桥和也古泽纯和冈田充弘米仓大雅

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2120 H01L2167 C30B102 C30B2906

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101666901549 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014107642841 申请日:20141211
2018-10-19	授权	授权
2015-06-17	公开	公开

共 50 条

[1]

非晶硅膜的成膜方法及成膜装置 [P].

柿本明修 ;

高木聪 ;

五十岚一将 .

中国专利 :CN102891075B ,2013-01-23

[2]

成膜方法、半导体装置的制造方法、半导体装置和成膜装置 [P].

石坂忠大 ;

大岛康弘 ;

吉井直树 ;

重冈隆 ;

川村刚平 ;

福田幸夫 ;

小岛康彦 .

中国专利 :CN100405549C ,2005-12-07

[3]

结晶膜、包括结晶膜的半导体装置以及制造结晶膜的方法 [P].

大岛佑一 ;

藤田静雄 ;

金子健太郎 ;

嘉数诚 ;

河原克明 ;

四户孝 ;

松田时宜 ;

人罗俊实 .

中国专利 :CN109423694B ,2019-03-05

[4]

结晶膜、包含结晶膜的半导体装置以及结晶膜的制造方法 [P].

河原克明 ;

大岛祐一 ;

冲川满 .

中国专利 :CN114270531A ,2022-04-01

[5]

晶体、结晶膜、包括结晶膜的半导体装置和用于制造结晶膜的方法 [P].

大岛佑一 ;

藤田静雄 ;

金子健太郎 ;

嘉数诚 ;

河原克明 ;

四户孝 ;

松田时宜 ;

人罗俊实 .

中国专利 :CN109423691B ,2019-03-05

[6]

成膜方法和半导体装置的制造方法以及成膜装置 [P].

永冈达司 .

中国专利 :CN110029326A ,2019-07-19

[7]

成膜方法、包含该成膜方法的半导体装置的制造方法、成膜装置及半导体装置 [P].

铃木启介 ;

门永健太郎 ;

两角友一朗 .

中国专利 :CN102956447A ,2013-03-06

[8]

成膜装置、成膜方法及半导体装置的制造方法 [P].

近藤祐介 ;

山崎壮一 .

中国专利 :CN115110026A ,2022-09-27

[9]

成膜方法、成膜装置以及半导体装置的制造方法 [P].

小宫隆行 .

中国专利 :CN102453886A ,2012-05-16

[10]

成膜装置、成膜方法及半导体装置的制造方法 [P].

近藤祐介 ;

山崎壮一 .

日本专利 :CN115110026B ,2024-09-06

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