结晶膜、包括结晶膜的半导体装置以及制造结晶膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810948461.X

申请日：

2018-08-20

公开(公告)号：

CN109423694B

公开(公告)日：

2019-03-05

发明(设计)人：

大岛佑一藤田静雄金子健太郎嘉数诚河原克明四户孝松田时宜人罗俊实

申请人：

申请人地址：

日本京都

IPC主分类号：

C30B2916

IPC分类号：

C30B2516 C30B2518 C30B2504

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

王东贤;王珍仙

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-09	授权	授权
2019-03-05	公开	公开
2019-07-23	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C30B 29/16 变更事项:申请人变更前:流慧株式会社变更后:株式会社FLOSFIA 变更事项:地址变更前:日本京都变更后:日本京都变更事项:申请人变更前:国立研究开发法人物质·材料研究机构国立大学法人京都大学国立大学法人佐贺大学变更后:国立研究开发法人物质·材料研究机构国立大学法人京都大学国立大学法人佐贺大学
2020-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/16 申请日:20180820

共 50 条

[1]

结晶膜、包含结晶膜的半导体装置以及结晶膜的制造方法 [P].

河原克明 ;

大岛祐一 ;

冲川满 .

中国专利 :CN114270531A ,2022-04-01

[2]

晶体、结晶膜、包括结晶膜的半导体装置和用于制造结晶膜的方法 [P].

大岛佑一 ;

藤田静雄 ;

金子健太郎 ;

嘉数诚 ;

河原克明 ;

四户孝 ;

松田时宜 ;

人罗俊实 .

中国专利 :CN109423691B ,2019-03-05

[3]

结晶性半导体膜的制造方法以及结晶性半导体膜的制造装置 [P].

斋藤彻 ;

吉冈洋 ;

堀田定吉 .

中国专利 :CN102473606A ,2012-05-23

[4]

结晶半导体膜的制造方法 [P].

次田纯一 ;

泽井美喜 ;

町田政志 ;

郑石焕 .

中国专利 :CN104871291A ,2015-08-26

[5]

结晶半导体膜的制造方法 [P].

次田　纯一 ;

町田　政志 ;

泽井　美喜 .

中国专利 :CN102630336B ,2012-08-08

[6]

结晶膜以及利用激光制造结晶膜的方法 [P].

工藤利雄 ;

清家幸治 ;

山崎和则 .

中国专利 :CN101145518A ,2008-03-19

[7]

结晶膜以及利用激光制造结晶膜的方法 [P].

工藤利雄 ;

清家幸治 ;

山崎和则 .

中国专利 :CN1708831A ,2005-12-14

[8]

结晶膜的制造方法及结晶膜制造装置 [P].

富樫陵太郎 ;

佐藤亮介 ;

清野俊明 ;

井波俊夫 ;

草间秀晃 .

中国专利 :CN102099895B ,2011-06-15

[9]

一种半导体结晶膜的制备方法及其半导体结晶膜 [P].

陈梓敏 ;

王钢 ;

李泽琦 .

中国专利 :CN108615672B ,2018-10-02

[10]

结晶半导体膜的制造方法及制造装置 [P].

次田纯一 ;

町田政志 ;

郑石焕 .

中国专利 :CN104718600A ,2015-06-17

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