一种半导体结晶膜的制备方法及其半导体结晶膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810343777.6

申请日：

2018-04-17

公开(公告)号：

CN108615672B

公开(公告)日：

2018-10-02

发明(设计)人：

陈梓敏王钢李泽琦

申请人：

申请人地址：

510260 广东省广州市海珠区新港西路135号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C23C1644

代理机构：

广州圣理华知识产权代理有限公司 44302

代理人：

顿海舟;李唐明

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20220622 变更事项:专利权人变更前权利人:中山大学变更后权利人:福建晶旭半导体科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:510260 广东省广州市海珠区海珠区新港西路135号变更后权利人:364000 福建省龙岩市上杭县临城镇黄竹村工业区沿河路18号
2018-10-02	公开	公开
2020-09-04	授权	授权
2018-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180417

共 50 条

[1]

结晶膜、包括结晶膜的半导体装置以及制造结晶膜的方法 [P].

大岛佑一 ;

藤田静雄 ;

金子健太郎 ;

嘉数诚 ;

河原克明 ;

四户孝 ;

松田时宜 ;

人罗俊实 .

中国专利 :CN109423694B ,2019-03-05

[2]

结晶膜、包含结晶膜的半导体装置以及结晶膜的制造方法 [P].

河原克明 ;

大岛祐一 ;

冲川满 .

中国专利 :CN114270531A ,2022-04-01

[3]

晶体、结晶膜、包括结晶膜的半导体装置和用于制造结晶膜的方法 [P].

大岛佑一 ;

藤田静雄 ;

金子健太郎 ;

嘉数诚 ;

河原克明 ;

四户孝 ;

松田时宜 ;

人罗俊实 .

中国专利 :CN109423691B ,2019-03-05

[4]

结晶半导体膜的制造方法 [P].

次田纯一 ;

泽井美喜 ;

町田政志 ;

郑石焕 .

中国专利 :CN104871291A ,2015-08-26

[5]

结晶半导体膜的制造方法 [P].

次田　纯一 ;

町田　政志 ;

泽井　美喜 .

中国专利 :CN102630336B ,2012-08-08

[6]

用于结晶化半导体膜的方法和由该方法结晶化的半导体膜 [P].

M·A·克劳德 ;

A·T·沃特萨斯 .

中国专利 :CN101145517B ,2008-03-19

[7]

制造具有结晶半导体膜的半导体器件的方法 [P].

大谷久 ;

宫永昭治 ;

竹山顺一 .

中国专利 :CN1094652C ,1995-12-06

[8]

结晶性半导体膜的制造方法以及结晶性半导体膜的制造装置 [P].

斋藤彻 ;

吉冈洋 ;

堀田定吉 .

中国专利 :CN102473606A ,2012-05-23

[9]

半导体膜及其制备方法 [P].

阿比吉特·R·乔杜里 ;

张婕 ;

丹尼尔·R·加莫丹 .

中国专利 :CN1618135B ,2005-05-18

[10]

结晶性氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

髙桥勲 ;

四户孝 ;

德田梨绘 ;

织田真也 ;

人罗俊实 .

中国专利 :CN109952392A ,2019-06-28

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