用于结晶化半导体膜的方法和由该方法结晶化的半导体膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710138198.X

申请日：

2007-07-31

公开(公告)号：

CN101145517B

公开(公告)日：

2008-03-19

发明(设计)人：

M·A·克劳德 A·T·沃特萨斯

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21268 H01L21336

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张雪梅;刘宗杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-03-19	公开	公开
2022-07-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20070731 授权公告日:20100929 终止日期:20210731
2008-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-09-29	授权	授权

共 50 条

[1]

结晶半导体膜的制造方法 [P].

次田纯一 ;

泽井美喜 ;

町田政志 ;

郑石焕 .

中国专利 :CN104871291A ,2015-08-26

[2]

结晶半导体膜的制造方法 [P].

次田　纯一 ;

町田　政志 ;

泽井　美喜 .

中国专利 :CN102630336B ,2012-08-08

[3]

制造具有结晶半导体膜的半导体器件的方法 [P].

大谷久 ;

宫永昭治 ;

竹山顺一 .

中国专利 :CN1094652C ,1995-12-06

[4]

晶体、结晶膜、包括结晶膜的半导体装置和用于制造结晶膜的方法 [P].

大岛佑一 ;

藤田静雄 ;

金子健太郎 ;

嘉数诚 ;

河原克明 ;

四户孝 ;

松田时宜 ;

人罗俊实 .

中国专利 :CN109423691B ,2019-03-05

[5]

一种半导体结晶膜的制备方法及其半导体结晶膜 [P].

陈梓敏 ;

王钢 ;

李泽琦 .

中国专利 :CN108615672B ,2018-10-02

[6]

结晶膜、包括结晶膜的半导体装置以及制造结晶膜的方法 [P].

大岛佑一 ;

藤田静雄 ;

金子健太郎 ;

嘉数诚 ;

河原克明 ;

四户孝 ;

松田时宜 ;

人罗俊实 .

中国专利 :CN109423694B ,2019-03-05

[7]

结晶膜、包含结晶膜的半导体装置以及结晶膜的制造方法 [P].

河原克明 ;

大岛祐一 ;

冲川满 .

中国专利 :CN114270531A ,2022-04-01

[8]

结晶性半导体膜的制造方法以及结晶性半导体膜的制造装置 [P].

斋藤彻 ;

吉冈洋 ;

堀田定吉 .

中国专利 :CN102473606A ,2012-05-23

[9]

半导体膜、半导体器件和用于制造半导体膜、半导体器件的方法 [P].

高山彻 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN100397556C ,2003-01-08

[10]

半导体膜的结晶方法和显示设备的制造方法 [P].

千本松茂 ;

山本修平 ;

杉野谷充 ;

松村英树 ;

增田淳 .

中国专利 :CN1719583A ,2006-01-11

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