结晶性半导体膜的制造方法以及结晶性半导体膜的制造装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201180002849.7
申请日
2011-06-27
公开(公告)号
CN102473606A
公开(公告)日
2012-05-23
发明(设计)人
斋藤彻 吉冈洋 堀田定吉
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01L2120
IPC分类号
H01L21336 H01L29786
代理机构
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
徐健;段承恩
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
结晶性半导体膜的制造方法、带结晶性半导体膜的基板、薄膜晶体管 [P]. 
加藤智也 ;
尾田智彦 ;
大高盛 .
中国专利 :CN102754187A ,2012-10-24
[2]
半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法 [P]. 
迫田尚和 ;
高松弘行 ;
乾昌广 ;
尾岛太 .
中国专利 :CN103311147B ,2013-09-18
[3]
结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置 [P]. 
人罗俊实 ;
织田真也 ;
高塚章夫 .
中国专利 :CN108899359A ,2018-11-27
[4]
结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置 [P]. 
人罗俊实 ;
织田真也 ;
高塚章夫 .
中国专利 :CN106415845A ,2017-02-15
[5]
结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置 [P]. 
人罗俊实 ;
织田真也 ;
高塚章夫 .
中国专利 :CN110828552A ,2020-02-21
[6]
结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置 [P]. 
人罗俊实 ;
织田真也 ;
高塚章夫 .
中国专利 :CN110828537A ,2020-02-21
[7]
结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置 [P]. 
人罗俊实 ;
织田真也 ;
高塚章夫 .
中国专利 :CN110828553A ,2020-02-21
[8]
结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置 [P]. 
人罗俊实 ;
织田真也 ;
高塚章夫 .
中国专利 :CN110828551A ,2020-02-21
[9]
结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置 [P]. 
人罗俊实 ;
织田真也 ;
高塚章夫 .
中国专利 :CN110684960A ,2020-01-14
[10]
结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置 [P]. 
人罗俊实 ;
织田真也 ;
高塚章夫 .
中国专利 :CN110828536A ,2020-02-21