结晶性半导体膜的制造方法、带结晶性半导体膜的基板、薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080008734.4

申请日：

2010-05-10

公开(公告)号：

CN102754187A

公开(公告)日：

2012-10-24

发明(设计)人：

加藤智也尾田智彦大高盛

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21336 H01L29786

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

徐健;段承恩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-24	公开	公开
2016-01-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101726773604 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2010800087344 申请公布日:20121024
2013-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101458117733 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2010800087344 申请日:20100510

共 50 条

[1]

结晶性半导体膜的制造方法以及结晶性半导体膜的制造装置 [P].

斋藤彻 ;

吉冈洋 ;

堀田定吉 .

中国专利 :CN102473606A ,2012-05-23

[2]

半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法 [P].

迫田尚和 ;

高松弘行 ;

乾昌广 ;

尾岛太 .

中国专利 :CN103311147B ,2013-09-18

[3]

晶体、结晶性氧化物半导体、包含结晶性氧化物半导体的半导体膜、包含晶体和/或半导体膜的半导体装置以及包含半导体装置的系统 [P].

松田时宜 ;

佐佐木贵博 ;

人罗俊实 ;

高桥勲 .

中国专利 :CN113891859A ,2022-01-04

[4]

结晶性硅系列半导体薄膜的制造方法 [P].

土本修平 ;

田仲広久 ;

緖方潔 ;

桐村浩哉 .

中国专利 :CN1141735C ,2000-07-26

[5]

一种结晶性溶剂调控的结晶性有机薄膜晶体管的制备方法 [P].

王丽娟 ;

张梁 ;

谢强 ;

朱阳阳 ;

孙强 ;

孙丽晶 .

中国专利 :CN108417715A ,2018-08-17

[6]

具有结晶质氧化铟半导体膜的薄膜晶体管 [P].

井上一吉 ;

矢野公规 ;

笘井重和 ;

宇都野太 ;

笠见雅司 ;

后藤健治 ;

川岛浩和 .

中国专利 :CN102160182A ,2011-08-17

[7]

具有结晶质氧化铟半导体膜的薄膜晶体管 [P].

井上一吉 ;

矢野公规 ;

笘井重和 ;

宇都野太 ;

笠见雅司 ;

后藤健治 ;

川岛浩和 .

中国专利 :CN102916052A ,2013-02-06

[8]

结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置 [P].

人罗俊实 ;

织田真也 ;

高塚章夫 .

中国专利 :CN108899359A ,2018-11-27

[9]

结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置 [P].

人罗俊实 ;

织田真也 ;

高塚章夫 .

中国专利 :CN106415845A ,2017-02-15

[10]

结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置 [P].

人罗俊实 ;

织田真也 ;

高塚章夫 .

中国专利 :CN110828552A ,2020-02-21

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