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晶体、结晶性氧化物半导体、包含结晶性氧化物半导体的半导体膜、包含晶体和/或半导体膜的半导体装置以及包含半导体装置的系统

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202080039782.3
申请日：
2020-03-30
公开(公告)号：
CN113891859A
公开(公告)日：
2022-01-04
发明(设计)人：
松田时宜 佐佐木贵博 人罗俊实 高桥勲
申请人：
申请人地址：
日本京都
IPC主分类号：
C01G4500
IPC分类号：
H01C704 C23C1640
代理机构：
北京德琦知识产权代理有限公司 11018
代理人：
刁兴利;康泉
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-01-04 公开 公开
2022-03-18 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 45/00 申请日:20200330
共 50 条
[1]
结晶性氧化物半导体膜及半导体装置 [P]. 
髙桥勲 ;
四户孝 ;
德田梨绘 ;
织田真也 ;
人罗俊实 .
中国专利 :CN109952392A ,2019-06-28
[2]
结晶性氧化物半导体膜、半导体装置及半导体系统 [P]. 
德田梨绘 ;
织田真也 ;
人罗俊实 .
中国专利 :CN107799584B ,2018-03-13
[3]
结晶性氧化物半导体薄膜以及半导体装置 [P]. 
人罗俊实 ;
织田真也 .
中国专利 :CN110299414A ,2019-10-01
[4]
结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统 [P]. 
高桥勋 ;
鸟山达矢 ;
杉本雅裕 ;
四戸孝 ;
上东秀幸 ;
大原淳士 ;
广濑富佐雄 ;
松木英夫 .
中国专利 :CN111384158A ,2020-07-07
[5]
结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统 [P]. 
高桥勋 ;
鸟山达矢 ;
杉本雅裕 ;
四戸孝 ;
上东秀幸 ;
大原淳士 ;
广濑富佐雄 ;
松木英夫 .
日本专利 :CN111384158B ,2024-01-09
[6]
结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统 [P]. 
高桥勋 ;
鸟山达矢 ;
杉本雅裕 ;
四戸孝 ;
上东秀幸 ;
大原淳士 ;
广濑富佐雄 ;
松木英夫 .
中国专利 :CN111383911A ,2020-07-07
[7]
结晶性氧化物半导体膜、层叠结构体及半导体装置 [P]. 
坂爪崇宽 .
日本专利 :CN120345061A ,2025-07-18
[8]
结晶性氧化物膜及半导体装置 [P]. 
金子健太郎 ;
高根伦史 ;
人罗俊实 .
日本专利 :CN117730402A ,2024-03-19
[9]
氧化物半导体膜以及半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
津吹将志 ;
秋元健吾 ;
大原宏树 ;
本田达也 ;
小俣贵嗣 ;
野中裕介 ;
高桥正弘 ;
宫永昭治 .
中国专利 :CN103339715B ,2013-10-02
[10]
氧化物半导体膜以及半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
津吹将志 ;
秋元健吾 ;
大原宏树 ;
本田达也 ;
小俣贵嗣 ;
野中裕介 ;
高桥正弘 ;
宫永昭治 .
中国专利 :CN105336791A ,2016-02-17
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