学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

结晶性氧化物半导体薄膜以及半导体装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910634324.3
申请日：
2015-03-30
公开(公告)号：
CN110299414A
公开(公告)日：
2019-10-01
发明(设计)人：
人罗俊实 织田真也
申请人：
申请人地址：
日本京都
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906 H01L2910 H01L2924 H01L2904 H01L2102 H01L2134
代理机构：
北京德琦知识产权代理有限公司 11018
代理人：
文哲;康泉
法律状态：
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-11-13 发明专利申请公布后的视为撤回 发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20191001
2019-10-01 公开 公开
2019-11-01 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20150330
共 50 条
[1]
结晶性氧化物半导体膜及半导体装置 [P]. 
髙桥勲 ;
四户孝 ;
德田梨绘 ;
织田真也 ;
人罗俊实 .
中国专利 :CN109952392A ,2019-06-28
[2]
结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统 [P]. 
高桥勋 ;
鸟山达矢 ;
杉本雅裕 ;
四戸孝 ;
上东秀幸 ;
大原淳士 ;
广濑富佐雄 ;
松木英夫 .
中国专利 :CN111384158A ,2020-07-07
[3]
结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统 [P]. 
高桥勋 ;
鸟山达矢 ;
杉本雅裕 ;
四戸孝 ;
上东秀幸 ;
大原淳士 ;
广濑富佐雄 ;
松木英夫 .
日本专利 :CN111384158B ,2024-01-09
[4]
结晶性层叠结构体和半导体装置 [P]. 
人罗俊实 ;
织田真也 .
中国专利 :CN110310996B ,2019-10-08
[5]
结晶性氧化物半导体膜、半导体装置及半导体系统 [P]. 
德田梨绘 ;
织田真也 ;
人罗俊实 .
中国专利 :CN107799584B ,2018-03-13
[6]
晶体、结晶性氧化物半导体、包含结晶性氧化物半导体的半导体膜、包含晶体和/或半导体膜的半导体装置以及包含半导体装置的系统 [P]. 
松田时宜 ;
佐佐木贵博 ;
人罗俊实 ;
高桥勲 .
中国专利 :CN113891859A ,2022-01-04
[7]
结晶性氧化物半导体膜、层叠结构体及半导体装置 [P]. 
坂爪崇宽 .
日本专利 :CN120345061A ,2025-07-18
[8]
结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统 [P]. 
高桥勋 ;
鸟山达矢 ;
杉本雅裕 ;
四戸孝 ;
上东秀幸 ;
大原淳士 ;
广濑富佐雄 ;
松木英夫 .
中国专利 :CN111383911A ,2020-07-07
[9]
结晶性氧化物膜及半导体装置 [P]. 
金子健太郎 ;
高根伦史 ;
人罗俊实 .
日本专利 :CN117730402A ,2024-03-19
[10]
氧化物半导体薄膜 [P]. 
大竹文人 ;
小林大士 ;
上野充 ;
和田优 ;
松本浩一 .
中国专利 :CN111373514A ,2020-07-03
12345