氧化物半导体膜以及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180066610.6

申请日：

2011-11-21

公开(公告)号：

CN103339715B

公开(公告)日：

2013-10-02

发明(设计)人：

山崎舜平津吹将志秋元健吾大原宏树本田达也小俣贵嗣野中裕介高桥正弘宫永昭治

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21363

IPC分类号：

C01G1500 C23C1408 H01L29786

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

邢德杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101552331122 IPC(主分类):H01L 21/363 专利申请号:2011800666106 申请日:20111121
2016-01-13	授权	授权
2013-10-02	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化物半导体膜以及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

津吹将志 ;

秋元健吾 ;

大原宏树 ;

本田达也 ;

小俣贵嗣 ;

野中裕介 ;

高桥正弘 ;

宫永昭治 .

中国专利 :CN105336791A ,2016-02-17

[2]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

下村明久 ;

肥塚纯一 ;

冈崎健一 ;

山根靖正 ;

佐藤裕平 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN114512547A ,2022-05-17

[3]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

高桥正弘 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN106057865A ,2016-10-26

[4]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

菅野亮平 .

中国专利 :CN114342086A ,2022-04-12

[5]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

下村明久 ;

肥塚纯一 ;

冈崎健一 ;

山根靖正 ;

佐藤裕平 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN107210230B ,2017-09-26

[6]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

高桥正弘 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102738206B ,2012-10-17

[7]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

井坂史人 ;

大野敏和 ;

惠木勇司 ;

佐藤优一 ;

保本清治 .

日本专利 :CN120692905A ,2025-09-23

[8]

氧化物半导体层、氧化物半导体层的制造方法、半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

井坂史人 ;

佐藤优一 ;

大野敏和 ;

国武宽司 ;

村川努 .

日本专利 :CN119300428A ,2025-01-10

[9]

氧化物半导体膜、包括该氧化物半导体膜的半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 [P].

冈崎健一 ;

肥塚纯一 ;

生内俊光 ;

斋藤晓 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN107406966B ,2017-11-28

[10]

氧化物半导体及半导体装置 [P].

金子健太郎 ;

高根伦史 ;

人罗俊实 .

日本专利 :CN117751435A ,2024-03-22

← 1 2 3 4 5 →