氧化物半导体膜及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510309710.0

申请日：

2025-03-17

公开(公告)号：

CN120692905A

公开(公告)日：

2025-09-23

发明(设计)人：

山崎舜平井坂史人大野敏和惠木勇司佐藤优一保本清治

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H10D62/80

IPC分类号：

H10D30/60 H10D30/67 H10D30/01 H10D62/10

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

刘强

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-23	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

下村明久 ;

肥塚纯一 ;

冈崎健一 ;

山根靖正 ;

佐藤裕平 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN114512547A ,2022-05-17

[2]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

高桥正弘 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN106057865A ,2016-10-26

[3]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

菅野亮平 .

中国专利 :CN114342086A ,2022-04-12

[4]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

下村明久 ;

肥塚纯一 ;

冈崎健一 ;

山根靖正 ;

佐藤裕平 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN107210230B ,2017-09-26

[5]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

高桥正弘 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102738206B ,2012-10-17

[6]

氧化物半导体膜以及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

津吹将志 ;

秋元健吾 ;

大原宏树 ;

本田达也 ;

小俣贵嗣 ;

野中裕介 ;

高桥正弘 ;

宫永昭治 .

中国专利 :CN103339715B ,2013-10-02

[7]

氧化物半导体膜以及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

津吹将志 ;

秋元健吾 ;

大原宏树 ;

本田达也 ;

小俣贵嗣 ;

野中裕介 ;

高桥正弘 ;

宫永昭治 .

中国专利 :CN105336791A ,2016-02-17

[8]

氧化物半导体及半导体装置 [P].

金子健太郎 ;

高根伦史 ;

人罗俊实 .

日本专利 :CN117751435A ,2024-03-22

[9]

金属氧化物膜及半导体装置 [P].

中山智则 ;

国武宽司 ;

山崎舜平 .

日本专利 :CN120642593A ,2025-09-12

[10]

氧化物半导体层及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

坂仓真之 ;

宫永昭治 ;

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

岛津贵志 .

中国专利 :CN102484139A ,2012-05-30

← 1 2 3 4 5 →