氧化物半导体及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280053287.7

申请日：

2022-07-26

公开(公告)号：

CN117751435A

公开(公告)日：

2024-03-22

发明(设计)人：

金子健太郎高根伦史人罗俊实

申请人：

株式会社FLOSFIA 国立大学法人京都大学

申请人地址：

日本京都

IPC主分类号：

H01L21/365

IPC分类号：

H01L21/368 H01L29/24 H01L29/12

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

辛雪花;朴圣洁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/365申请日:20220726
2024-03-22	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

菅野亮平 .

中国专利 :CN114342086A ,2022-04-12

[2]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

高桥正弘 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN106057865A ,2016-10-26

[3]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

下村明久 ;

肥塚纯一 ;

冈崎健一 ;

山根靖正 ;

佐藤裕平 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN114512547A ,2022-05-17

[4]

氧化物半导体层及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

坂仓真之 ;

宫永昭治 ;

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

岛津贵志 .

中国专利 :CN102484139A ,2012-05-30

[5]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

高桥正弘 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN102738206B ,2012-10-17

[6]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

井坂史人 ;

大野敏和 ;

惠木勇司 ;

佐藤优一 ;

保本清治 .

日本专利 :CN120692905A ,2025-09-23

[7]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

下村明久 ;

肥塚纯一 ;

冈崎健一 ;

山根靖正 ;

佐藤裕平 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN107210230B ,2017-09-26

[8]

氧化物半导体靶和氧化物半导体材料及半导体装置 [P].

若菜裕纪 ;

内山博幸 ;

福岛英子 .

中国专利 :CN103579360A ,2014-02-12

[9]

氧化物膜及半导体装置 [P].

菅野亮平 .

中国专利 :CN114342044A ,2022-04-12

[10]

氧化物半导体膜以及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

津吹将志 ;

秋元健吾 ;

大原宏树 ;

本田达也 ;

小俣贵嗣 ;

野中裕介 ;

高桥正弘 ;

宫永昭治 .

中国专利 :CN103339715B ,2013-10-02

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