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氧化物半导体膜、包括该氧化物半导体膜的半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201680013345.8
申请日：
2016-02-25
公开(公告)号：
CN107406966B
公开(公告)日：
2017-11-28
发明(设计)人：
冈崎健一 肥塚纯一 生内俊光 斋藤晓 山崎舜平
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县
IPC主分类号：
C23C1408
IPC分类号：
G09F930 H01L21363 H01L29786
代理机构：
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人：
刘多益;胡烨
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-03-23 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/08 申请日:20160225
2020-11-20 授权 授权
2017-11-28 公开 公开
共 50 条
[1]
氧化物半导体膜以及半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
津吹将志 ;
秋元健吾 ;
大原宏树 ;
本田达也 ;
小俣贵嗣 ;
野中裕介 ;
高桥正弘 ;
宫永昭治 .
中国专利 :CN103339715B ,2013-10-02
[2]
氧化物半导体膜以及半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
津吹将志 ;
秋元健吾 ;
大原宏树 ;
本田达也 ;
小俣贵嗣 ;
野中裕介 ;
高桥正弘 ;
宫永昭治 .
中国专利 :CN105336791A ,2016-02-17
[3]
氧化物半导体膜及半导体装置 [P]. 
下村明久 ;
肥塚纯一 ;
冈崎健一 ;
山根靖正 ;
佐藤裕平 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN114512547A ,2022-05-17
[4]
氧化物半导体膜及半导体装置 [P]. 
高桥正弘 ;
秋元健吾 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN106057865A ,2016-10-26
[5]
氧化物半导体膜及半导体装置 [P]. 
菅野亮平 .
中国专利 :CN114342086A ,2022-04-12
[6]
氧化物半导体膜及半导体装置 [P]. 
下村明久 ;
肥塚纯一 ;
冈崎健一 ;
山根靖正 ;
佐藤裕平 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN107210230B ,2017-09-26
[7]
氧化物半导体膜及半导体装置 [P]. 
高桥正弘 ;
秋元健吾 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN102738206B ,2012-10-17
[8]
氧化物半导体膜及半导体装置 [P]. 
山崎舜平 ;
井坂史人 ;
大野敏和 ;
惠木勇司 ;
佐藤优一 ;
保本清治 .
日本专利 :CN120692905A ,2025-09-23
[9]
半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 [P]. 
肥塚纯一 ;
神长正美 ;
岛行德 .
中国专利 :CN114695562A ,2022-07-01
[10]
半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 [P]. 
中泽安孝 ;
肥塚纯一 ;
羽持贵士 .
中国专利 :CN108475700A ,2018-08-31
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