具有结晶质氧化铟半导体膜的薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210417892.6

申请日：

2009-09-15

公开(公告)号：

CN102916052A

公开(公告)日：

2013-02-06

发明(设计)人：

井上一吉矢野公规笘井重和宇都野太笠见雅司后藤健治川岛浩和

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

蒋亭

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-06	公开	公开
2015-11-11	授权	授权
2013-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101413719332 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2012104178926 申请日:20090915

共 50 条

[1]

具有结晶质氧化铟半导体膜的薄膜晶体管 [P].

井上一吉 ;

矢野公规 ;

笘井重和 ;

宇都野太 ;

笠见雅司 ;

后藤健治 ;

川岛浩和 .

中国专利 :CN102160182A ,2011-08-17

[2]

氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管 [P].

中山德行 .

中国专利 :CN104685634A ,2015-06-03

[3]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN108962724A ,2018-12-07

[4]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN105393360B ,2016-03-09

[5]

具有薄膜晶体管的半导体器件 [P].

小沼利光 ;

菅原彰 ;

上原由起子 ;

张宏勇 ;

铃木敦则 ;

大沼英人 ;

山口直明 ;

须泽英臣 ;

鱼地秀贵 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100502046C ,2005-08-10

[6]

金属氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

戴谦邦 ;

黄隽尧 ;

彭郁芩 ;

黄科铨 .

中国专利 :CN203644792U ,2014-06-11

[7]

透明氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

P·F·卡西亚 ;

R·S·麦克莱恩 .

中国专利 :CN103137709A ,2013-06-05

[8]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

黄金海 ;

孙伯彰 ;

黄思齐 .

中国专利 :CN103474468A ,2013-12-25

[9]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

岛田干夫 .

中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10

[10]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107749422A ,2018-03-02

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