氧化物半导体薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880118787.4

申请日：

2008-11-27

公开(公告)号：

CN101884110A

公开(公告)日：

2010-11-10

发明(设计)人：

岛田干夫

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

魏小薇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101026284615 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2008801187874 申请日:20081127
2019-11-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20081127 授权公告日:20141105 终止日期:20181127
2010-11-10	公开	公开
2014-11-05	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107749422A ,2018-03-02

[2]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

黄金海 ;

孙伯彰 ;

黄思齐 .

中国专利 :CN103474468A ,2013-12-25

[3]

含氧化物半导体层的薄膜晶体管 [P].

越智元隆 ;

西山功兵 ;

后藤裕史 ;

钉宫敏洋 .

中国专利 :CN108780817B ,2018-11-09

[4]

氧化物半导体薄膜晶体管基板 [P].

张锡明 .

中国专利 :CN203423181U ,2014-02-05

[5]

金属氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

戴谦邦 ;

黄隽尧 ;

彭郁芩 ;

黄科铨 .

中国专利 :CN203644792U ,2014-06-11

[6]

氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管 [P].

中山德行 .

中国专利 :CN104685634A ,2015-06-03

[7]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN108962724A ,2018-12-07

[8]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN105393360B ,2016-03-09

[9]

一种氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

司红康 ;

金一琪 .

中国专利 :CN204243049U ,2015-04-01

[10]

一种氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

陈红 ;

邱勇 ;

黄秀颀 ;

魏朝刚 .

中国专利 :CN102723367A ,2012-10-10

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