含氧化物半导体层的薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780013390.8

申请日：

2017-02-02

公开(公告)号：

CN108780817B

公开(公告)日：

2018-11-09

发明(设计)人：

越智元隆西山功兵后藤裕史钉宫敏洋

申请人：

申请人地址：

日本兵库县

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

吴克鹏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-09	公开	公开
2018-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20170202
2022-06-14	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

岛田干夫 .

中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10

[2]

含有氧化物半导体层的薄膜晶体管 [P].

越智元隆 ;

后藤裕史 .

日本专利 :CN112088432B ,2024-02-27

[3]

含有氧化物半导体层的薄膜晶体管 [P].

越智元隆 ;

后藤裕史 .

中国专利 :CN112088432A ,2020-12-15

[4]

薄膜晶体管的半导体层用氧化物，具备上述氧化物的薄膜晶体管的半导体层和薄膜晶体管 [P].

田尾博昭 ;

三木绫 ;

森田晋也 ;

安野聪 ;

钉宫敏洋 ;

朴在佑 ;

李制勋 ;

安秉斗 ;

金建熙 .

中国专利 :CN103415926B ,2013-11-27

[5]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

黄金海 ;

孙伯彰 ;

黄思齐 .

中国专利 :CN103474468A ,2013-12-25

[6]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107749422A ,2018-03-02

[7]

包含氧化物半导体的薄膜晶体管基板 [P].

林训 ;

金大焕 ;

崔秉国 ;

李瑟 .

中国专利 :CN102544028A ,2012-07-04

[8]

使用氧化物半导体的薄膜晶体管的制造方法 [P].

大村秀之 ;

林享 .

中国专利 :CN101681928B ,2010-03-24

[9]

薄膜晶体管的半导体层用氧化物和溅射靶以及薄膜晶体管 [P].

森田晋也 ;

三木绫 ;

岩成裕美 ;

钉宫敏洋 ;

安野聪 ;

朴在佑 ;

李制勋 ;

安秉斗 .

中国专利 :CN103038888A ,2013-04-10

[10]

薄膜晶体管的半导体层用氧化物、薄膜晶体管、显示装置及溅射靶 [P].

森田晋也 ;

广濑研太 ;

三木绫 ;

钉宫敏洋 .

中国专利 :CN104335354A ,2015-02-04

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