薄膜晶体管的半导体层用氧化物和溅射靶以及薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180037189.6

申请日：

2011-07-28

公开(公告)号：

CN103038888A

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

森田晋也三木绫岩成裕美钉宫敏洋安野聪朴在佑李制勋安秉斗

申请人：

申请人地址：

日本兵库县

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21363

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

翟赟琪

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101452524748 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2011800371896 申请日:20110728
2013-04-10	公开	公开
2015-04-01	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101713034530 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2011800371896 变更事项:申请人变更前权利人:株式会社神户制钢所变更后权利人:三星显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本兵库县变更后权利人:韩国京畿道变更事项:申请人变更前权利人:三星显示有限公司变更后权利人:无登记生效日:20150306
2017-04-12	授权	授权

共 50 条

[1]

薄膜晶体管的半导体层用氧化物和溅射靶以及薄膜晶体管 [P].

三木绫 ;

岩成裕美 ;

钉宫敏洋 ;

森田晋也 ;

寺尾泰昭 ;

安野聪 ;

朴在佑 ;

李制勋 ;

安秉斗 .

中国专利 :CN102859701B ,2013-01-02

[2]

薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材，以及薄膜晶体管 [P].

森田晋也 ;

三木绫 ;

安野聪 ;

钉宫敏洋 ;

岸智弥 .

中国专利 :CN103270602A ,2013-08-28

[3]

薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材以及薄膜晶体管 [P].

森田晋也 ;

钉宫敏洋 ;

前田刚彰 ;

安野聪 ;

寺尾泰昭 ;

三木绫 .

中国专利 :CN102792451A ,2012-11-21

[4]

薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材，以及薄膜晶体管 [P].

三木绫 ;

森田晋也 ;

钉宫敏洋 ;

安野聪 ;

朴在佑 ;

李制勋 ;

安秉斗 ;

金建熙 .

中国专利 :CN103229302B ,2013-07-31

[5]

薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材，以及薄膜晶体管 [P].

三木绫 ;

森田晋也 ;

钉宫敏洋 ;

安野聪 ;

朴在佑 ;

李制勋 ;

安秉斗 .

中国专利 :CN103229303B ,2013-07-31

[6]

薄膜晶体管的半导体层用氧化物，具备上述氧化物的薄膜晶体管的半导体层和薄膜晶体管 [P].

田尾博昭 ;

三木绫 ;

森田晋也 ;

安野聪 ;

钉宫敏洋 ;

朴在佑 ;

李制勋 ;

安秉斗 ;

金建熙 .

中国专利 :CN103415926B ,2013-11-27

[7]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管和溅射靶 [P].

寺前裕美 ;

后藤裕史 ;

越智元隆 ;

日野绫 .

中国专利 :CN111226307B ,2020-06-02

[8]

薄膜晶体管的半导体层用氧化物、薄膜晶体管、显示装置及溅射靶 [P].

森田晋也 ;

广濑研太 ;

三木绫 ;

钉宫敏洋 .

中国专利 :CN104335354A ,2015-02-04

[9]

薄膜晶体管、氧化物半导体膜以及溅射靶材 [P].

上野充 ;

清田淳也 ;

小林大士 ;

武井应树 ;

高桥一寿 ;

日高浩二 ;

川越裕 ;

武末健太郎 ;

和田优 .

中国专利 :CN108352410B ,2018-07-31

[10]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 [P].

越智元隆 ;

西山功兵 ;

寺前裕美 ;

湖山贵之 .

日本专利 :CN114761607B ,2024-06-28

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