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薄膜晶体管的半导体层用氧化物，具备上述氧化物的薄膜晶体管的半导体层和薄膜晶体管

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201280012067.6
申请日：
2012-03-08
公开(公告)号：
CN103415926B
公开(公告)日：
2013-11-27
发明(设计)人：
田尾博昭 三木绫 森田晋也 安野聪 钉宫敏洋 朴在佑 李制勋 安秉斗 金建熙
申请人：
申请人地址：
日本兵库县
IPC主分类号：
H01L29786
IPC分类号：
G02F11368 G09F930 H01L21336 H01L21363 H01L5150 H05B3310
代理机构：
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人：
王玉玲
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2016-06-29 授权 授权
2013-12-18 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101555325696 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2012800120676 申请日:20120308
2013-11-27 公开 公开
共 50 条
[1]
薄膜晶体管的半导体层用氧化物和溅射靶以及薄膜晶体管 [P]. 
森田晋也 ;
三木绫 ;
岩成裕美 ;
钉宫敏洋 ;
安野聪 ;
朴在佑 ;
李制勋 ;
安秉斗 .
中国专利 :CN103038888A ,2013-04-10
[2]
氧化物半导体薄膜晶体管 [P]. 
岛田干夫 .
中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10
[3]
薄膜晶体管的半导体层用氧化物和溅射靶以及薄膜晶体管 [P]. 
三木绫 ;
岩成裕美 ;
钉宫敏洋 ;
森田晋也 ;
寺尾泰昭 ;
安野聪 ;
朴在佑 ;
李制勋 ;
安秉斗 .
中国专利 :CN102859701B ,2013-01-02
[4]
含氧化物半导体层的薄膜晶体管 [P]. 
越智元隆 ;
西山功兵 ;
后藤裕史 ;
钉宫敏洋 .
中国专利 :CN108780817B ,2018-11-09
[5]
氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P]. 
中山德行 ;
西村英一郎 ;
井藁正史 .
中国专利 :CN108962724A ,2018-12-07
[6]
氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P]. 
中山德行 ;
西村英一郎 ;
井藁正史 .
中国专利 :CN105393360B ,2016-03-09
[7]
氧化物半导体薄膜晶体管 [P]. 
黄金海 ;
孙伯彰 ;
黄思齐 .
中国专利 :CN103474468A ,2013-12-25
[8]
氧化物半导体薄膜晶体管 [P]. 
林振国 ;
谢志强 ;
李建 ;
任思雨 ;
苏君海 ;
李建华 .
中国专利 :CN107749422A ,2018-03-02
[9]
薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材，以及薄膜晶体管 [P]. 
森田晋也 ;
三木绫 ;
安野聪 ;
钉宫敏洋 ;
岸智弥 .
中国专利 :CN103270602A ,2013-08-28
[10]
薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材，以及薄膜晶体管 [P]. 
三木绫 ;
森田晋也 ;
钉宫敏洋 ;
安野聪 ;
朴在佑 ;
李制勋 ;
安秉斗 ;
金建熙 .
中国专利 :CN103229302B ,2013-07-31
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