氧化物半导体薄膜晶体管基板

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320516839.1

申请日：

2013-08-23

公开(公告)号：

CN203423181U

公开(公告)日：

2014-02-05

发明(设计)人：

张锡明

申请人：

申请人地址：

215217 江苏省苏州市吴江经济开发区同里分区江兴东路555号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2350 H01L29417 H01L29786

代理机构：

上海汉声知识产权代理有限公司 31236

代理人：

胡晶

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-05	授权	授权
2020-08-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20130823 授权公告日:20140205 终止日期:20190823

共 50 条

[1]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

黄金海 ;

孙伯彰 ;

黄思齐 .

中国专利 :CN103474468A ,2013-12-25

[2]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

岛田干夫 .

中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10

[3]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107749422A ,2018-03-02

[4]

金属氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

戴谦邦 ;

黄隽尧 ;

彭郁芩 ;

黄科铨 .

中国专利 :CN203644792U ,2014-06-11

[5]

氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管 [P].

中山德行 .

中国专利 :CN104685634A ,2015-06-03

[6]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN108962724A ,2018-12-07

[7]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN105393360B ,2016-03-09

[8]

具有双层氧化物半导体的薄膜晶体管基板 [P].

李昭珩 ;

金圣起 ;

李永镇 ;

金敏澈 ;

梁晸硕 ;

任曙延 .

中国专利 :CN108022937B ,2018-05-11

[9]

包含氧化物半导体的薄膜晶体管基板 [P].

林训 ;

金大焕 ;

崔秉国 ;

李瑟 .

中国专利 :CN102544028A ,2012-07-04

[10]

晶体氧化物半导体薄膜、晶体氧化物半导体薄膜的制造方法以及薄膜晶体管 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

霍间勇辉 ;

笘井重和 ;

江端一晃 .

中国专利 :CN107924822A ,2018-04-17

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