晶体氧化物半导体薄膜、晶体氧化物半导体薄膜的制造方法以及薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680044317.2

申请日：

2016-07-29

公开(公告)号：

CN107924822A

公开(公告)日：

2018-04-17

发明(设计)人：

井上一吉宇都野太霍间勇辉笘井重和江端一晃

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C01G1500 H01L2120 H01L21336 H01L21363 H01L29786

代理机构：

上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291

代理人：

侯莉;毛立群

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-17	公开	公开
2018-08-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20160729

共 50 条

[1]

氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管 [P].

中山德行 .

中国专利 :CN104685634A ,2015-06-03

[2]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN108962724A ,2018-12-07

[3]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN105393360B ,2016-03-09

[4]

氧化物半导体薄膜及其制造方法以及薄膜晶体管 [P].

中山德行 .

中国专利 :CN104798205A ,2015-07-22

[5]

氧化物半导体薄膜、氧化物半导体薄膜的制造方法以及使用其的薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

白木真菜 .

中国专利 :CN108713245A ,2018-10-26

[6]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

黄金海 ;

孙伯彰 ;

黄思齐 .

中国专利 :CN103474468A ,2013-12-25

[7]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

岛田干夫 .

中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10

[8]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107749422A ,2018-03-02

[9]

氧化物半导体、薄膜晶体管以及制造薄膜晶体管的方法 [P].

姜东勋 ;

宋利宪 ;

朴永洙 ;

金昌桢 ;

李银河 ;

李在喆 .

中国专利 :CN101339954A ,2009-01-07

[10]

透明氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

P·F·卡西亚 ;

R·S·麦克莱恩 .

中国专利 :CN103137709A ,2013-06-05

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