氧化物半导体薄膜及其制造方法以及薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380060993.5

申请日：

2013-11-21

公开(公告)号：

CN104798205A

公开(公告)日：

2015-07-22

发明(设计)人：

中山德行

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

C23C1408 C23C1458 H01L21336 H01L21363 H01L2924

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

崔香丹;李英艳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-05	授权	授权
2015-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101638492736 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2013800609935 申请日:20131121
2015-07-22	公开	公开
2020-10-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20131121 授权公告日:20180105 终止日期:20191121

共 50 条

[1]

氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管 [P].

中山德行 .

中国专利 :CN104685634A ,2015-06-03

[2]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN108962724A ,2018-12-07

[3]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN105393360B ,2016-03-09

[4]

氧化物半导体薄膜、氧化物半导体薄膜的制造方法以及使用其的薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

白木真菜 .

中国专利 :CN108713245A ,2018-10-26

[5]

晶体氧化物半导体薄膜、晶体氧化物半导体薄膜的制造方法以及薄膜晶体管 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

霍间勇辉 ;

笘井重和 ;

江端一晃 .

中国专利 :CN107924822A ,2018-04-17

[6]

用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

彭俊彪 ;

兰林锋 ;

王磊 .

中国专利 :CN102110718B ,2011-06-29

[7]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管和溅射靶 [P].

寺前裕美 ;

后藤裕史 ;

越智元隆 ;

日野绫 .

中国专利 :CN111226307B ,2020-06-02

[8]

氧化物半导体薄膜、氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107527946A ,2017-12-29

[9]

氧化物半导体、薄膜晶体管以及制造薄膜晶体管的方法 [P].

姜东勋 ;

宋利宪 ;

朴永洙 ;

金昌桢 ;

李银河 ;

李在喆 .

中国专利 :CN101339954A ,2009-01-07

[10]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107749422A ,2018-03-02

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