氧化物半导体、薄膜晶体管以及制造薄膜晶体管的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810110123.5

申请日：

2008-06-10

公开(公告)号：

CN101339954A

公开(公告)日：

2009-01-07

发明(设计)人：

姜东勋宋利宪朴永洙金昌桢李银河李在喆

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416

IPC主分类号：

H01L2912

IPC分类号：

H01L29786 H01L21336

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人：

郭鸿禧;罗延红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003930455 IPC(主分类):H01L 29/12 专利申请号:2008101101235 申请日:20080610
2012-11-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101460544858 IPC(主分类):H01L 29/12 专利申请号:2008101101235 申请公布日:20090107
2009-01-07	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管 [P].

中山德行 .

中国专利 :CN104685634A ,2015-06-03

[2]

薄膜晶体管以及制造薄膜晶体管的方法 [P].

德永和彦 .

中国专利 :CN101710592A ,2010-05-19

[3]

薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管 [P].

滩秀明 ;

面了明 ;

滋野博誉 ;

坂田喜博 ;

奥村秀三 .

中国专利 :CN107408509A ,2017-11-28

[4]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

黄金海 ;

孙伯彰 ;

黄思齐 .

中国专利 :CN103474468A ,2013-12-25

[5]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

岛田干夫 .

中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10

[6]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107749422A ,2018-03-02

[7]

晶体氧化物半导体薄膜、晶体氧化物半导体薄膜的制造方法以及薄膜晶体管 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

霍间勇辉 ;

笘井重和 ;

江端一晃 .

中国专利 :CN107924822A ,2018-04-17

[8]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN108962724A ,2018-12-07

[9]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN105393360B ,2016-03-09

[10]

氧化物半导体薄膜及其制造方法以及薄膜晶体管 [P].

中山德行 .

中国专利 :CN104798205A ,2015-07-22

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