氧化物半导体薄膜、氧化物薄膜晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710538259.5

申请日：

2017-07-04

公开(公告)号：

CN107527946A

公开(公告)日：

2017-12-29

发明(设计)人：

林振国谢志强李建任思雨苏君海李建华

申请人：

申请人地址：

516029 广东省惠州市仲恺高新区新华大道南1号

IPC主分类号：

H01L2924

IPC分类号：

H01L29786 H01L21336

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

温旭

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-29	公开	公开
2021-03-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/24 申请公布日:20171229
2018-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/24 申请日:20170704

共 50 条

[1]

氧化物半导体组成物、氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

谢佳升 ;

连詹田 ;

吴宏昱 ;

傅欣敏 ;

梁建铮 .

中国专利 :CN104659104A ,2015-05-27

[2]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN108962724A ,2018-12-07

[3]

氧化物半导体薄膜和薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

井藁正史 .

中国专利 :CN105393360B ,2016-03-09

[4]

氧化物半导体薄膜及制备方法、薄膜晶体管及制备方法 [P].

邱勇 ;

赵云龙 ;

段炼 .

中国专利 :CN102810483B ,2012-12-05

[5]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 [P].

寺前裕美 ;

西山功兵 ;

越智元隆 ;

后藤裕史 .

中国专利 :CN113348562A ,2021-09-03

[6]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 [P].

越智元隆 ;

西山功兵 ;

寺前裕美 ;

湖山贵之 .

中国专利 :CN114761607A ,2022-07-15

[7]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 [P].

越智元隆 ;

西山功兵 ;

寺前裕美 ;

湖山贵之 .

日本专利 :CN114761607B ,2024-06-28

[8]

氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 [P].

寺前裕美 ;

西山功兵 ;

越智元隆 ;

后藤裕史 .

日本专利 :CN113348562B ,2024-04-23

[9]

氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管 [P].

中山德行 .

中国专利 :CN104685634A ,2015-06-03

[10]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

肖鹏 .

中国专利 :CN103311313A ,2013-09-18

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