氧化物半导体组成物、氧化物薄膜晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310580866.X

申请日：

2013-11-15

公开(公告)号：

CN104659104A

公开(公告)日：

2015-05-27

发明(设计)人：

谢佳升连詹田吴宏昱傅欣敏梁建铮

申请人：

申请人地址：

中国台湾桃园县八德市和平路1127号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

臧建明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-09	授权	授权
2015-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101614594602 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:201310580866X 申请日:20131115
2015-05-27	公开	公开
2020-10-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20131115 授权公告日:20180209 终止日期:20191115

共 50 条

[1]

氧化物半导体薄膜、氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107527946A ,2017-12-29

[2]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

王磊 ;

林振国 .

中国专利 :CN103794652A ,2014-05-14

[3]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

肖鹏 .

中国专利 :CN103311313A ,2013-09-18

[4]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

邓永 .

中国专利 :CN105702742A ,2016-06-22

[5]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

刘玉成 ;

于锋 ;

单奇 ;

朱涛 ;

葛泳 .

中国专利 :CN104362098B ,2015-02-18

[6]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

董婷 ;

宋晶尧 ;

付东 .

中国专利 :CN107346789A ,2017-11-14

[7]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

刘启晗 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

王琦男 .

中国专利 :CN109767988A ,2019-05-17

[8]

氧化物薄膜晶体管及包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板 [P].

杨熙正 ;

扈源俊 ;

金娥罗 .

中国专利 :CN104681623A ,2015-06-03

[9]

氧化物薄膜晶体管及其制造方法 [P].

裵钟旭 .

中国专利 :CN104157693A ,2014-11-19

[10]

氧化物薄膜晶体管及其制造方法 [P].

林训 ;

金大焕 .

中国专利 :CN102244005A ,2011-11-16

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