氧化物薄膜晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611227983.8

申请日：

2016-12-27

公开(公告)号：

CN107346789A

公开(公告)日：

2017-11-14

发明(设计)人：

董婷宋晶尧付东

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市广州中新广州知识城凤凰三路17号自编五栋388

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336 H01L29423 H01L29417

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

郑彤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-14	公开	公开
2017-12-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20161227
2021-07-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/786 申请公布日:20171114

共 50 条

[1]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

肖鹏 .

中国专利 :CN103311313A ,2013-09-18

[2]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

邓永 .

中国专利 :CN105702742A ,2016-06-22

[3]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

刘玉成 ;

于锋 ;

单奇 ;

朱涛 ;

葛泳 .

中国专利 :CN104362098B ,2015-02-18

[4]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

辛征航 ;

向超宇 ;

李乐 ;

张滔 ;

王雄志 .

中国专利 :CN109980086A ,2019-07-05

[5]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

陈闯 ;

顾维杰 ;

李俊峰 ;

张振宇 .

中国专利 :CN111540787A ,2020-08-14

[6]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

邓金全 .

中国专利 :CN107564820A ,2018-01-09

[7]

氧化物半导体薄膜、氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107527946A ,2017-12-29

[8]

氧化物薄膜晶体管及其制造方法 [P].

林训 ;

金大焕 .

中国专利 :CN102244005A ,2011-11-16

[9]

氧化物薄膜晶体管及其制造方法 [P].

裵钟旭 ;

徐铉植 ;

金勇烨 .

中国专利 :CN101901787B ,2010-12-01

[10]

氧化物薄膜晶体管及其制造方法 [P].

金大焕 ;

崔秉国 ;

李瑟 ;

林训 .

中国专利 :CN102543754A ,2012-07-04

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