金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410061608.5

申请日：

2014-02-25

公开(公告)号：

CN103794652A

公开(公告)日：

2014-05-14

发明(设计)人：

兰林锋彭俊彪王磊林振国

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350

代理人：

赵蕊红

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-10	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/786 登记生效日:20200220 变更事项:专利权人变更前权利人:王磊变更后权利人:王磊变更事项:地址变更前权利人:510641 广东省广州市天河区五山路381号变更后权利人:510640 广东省广州市天河区五山路381号变更事项:共同专利权人变更后权利人:广州华南理工大学资产经营有限公司
2017-04-12	授权	授权
2020-01-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/786 登记生效日:20191227 变更事项:专利权人变更前权利人:华南理工大学变更后权利人:王磊变更事项:地址变更前权利人:510640 广东省广州市天河区五山路381号变更后权利人:510641 广东省广州市天河区五山路381号
2014-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582905273 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2014100616085 申请日:20140225
2014-05-14	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

钟德镇 ;

邵金凤 ;

戴文君 .

中国专利 :CN103579361A ,2014-02-12

[2]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

刘启晗 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

王琦男 .

中国专利 :CN109767988A ,2019-05-17

[3]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法 [P].

简廷宪 ;

钟德镇 ;

吴婷婷 ;

戴文君 .

中国专利 :CN103824887B ,2014-05-28

[4]

三态金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 [P].

韩德栋 ;

郁文 ;

王漪 ;

石盼 ;

张翼 ;

黄伶灵 ;

丛瑛瑛 ;

董俊辰 ;

张盛东 ;

刘晓彦 ;

康晋锋 .

中国专利 :CN105070762A ,2015-11-18

[5]

一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 [P].

王漪 ;

周晓梁 ;

丛瑛瑛 ;

赵飞龙 ;

董俊辰 ;

韩德栋 ;

张盛东 ;

刘晓彦 .

中国专利 :CN104576759A ,2015-04-29

[6]

氧化物半导体薄膜、氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107527946A ,2017-12-29

[7]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

徐苗 ;

彭俊彪 ;

罗东向 ;

王磊 ;

邹建华 ;

陶洪 .

中国专利 :CN103545221A ,2014-01-29

[8]

氧化物半导体组成物、氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

谢佳升 ;

连詹田 ;

吴宏昱 ;

傅欣敏 ;

梁建铮 .

中国专利 :CN104659104A ,2015-05-27

[9]

一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及阵列基板 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN207925481U ,2018-09-28

[10]

金属氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

戴谦邦 ;

黄隽尧 ;

彭郁芩 ;

黄科铨 .

中国专利 :CN203644792U ,2014-06-11

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