一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及阵列基板

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820216939.5

申请日：

2018-02-07

公开(公告)号：

CN207925481U

公开(公告)日：

2018-09-28

发明(设计)人：

林振国谢志强任思雨苏君海李建华

申请人：

申请人地址：

516029 广东省惠州市仲恺高新区新华大道南1号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2906 H01L2712

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

邓聪权

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-28	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P].

贺家煜 ;

宁策 ;

李正亮 ;

胡合合 ;

黄杰 ;

赵坤 ;

姚念琦 .

中国专利 :CN113809182A ,2021-12-17

[2]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

王磊 ;

林振国 .

中国专利 :CN103794652A ,2014-05-14

[3]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

陈晓威 .

中国专利 :CN114678427A ,2022-06-28

[4]

金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

钟德镇 ;

刘仕彬 .

中国专利 :CN109037150B ,2018-12-18

[5]

金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及制作方法 [P].

何佳新 .

中国专利 :CN110867458B ,2020-03-06

[6]

一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P].

林振国 ;

铃木浩司 ;

谢志强 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN108269856A ,2018-07-10

[7]

金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的返工方法 [P].

李博丹 .

中国专利 :CN115172386B ,2025-10-31

[8]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

钟德镇 ;

邵金凤 ;

戴文君 .

中国专利 :CN103579361A ,2014-02-12

[9]

金属氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

戴谦邦 ;

黄隽尧 ;

彭郁芩 ;

黄科铨 .

中国专利 :CN203644792U ,2014-06-11

[10]

氧化物薄膜晶体管及包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板 [P].

杨熙正 ;

扈源俊 ;

金娥罗 .

中国专利 :CN104681623A ,2015-06-03

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