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金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810716118.2
申请日：
2018-06-29
公开(公告)号：
CN109037150B
公开(公告)日：
2018-12-18
发明(设计)人：
钟德镇
刘仕彬
申请人：
申请人地址：
215301 江苏省苏州市昆山市龙腾路1号
IPC主分类号：
H01L2177
IPC分类号：
H01L2712
G02F11368
代理机构：
上海波拓知识产权代理有限公司 31264
代理人：
杨波
法律状态：
著录事项变更
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-01-03 | 著录事项变更 | 著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/77 变更事项:申请人 变更前:昆山龙腾光电有限公司 变更后:昆山龙腾光电股份有限公司 变更事项:地址 变更前:215301 江苏省苏州市昆山市龙腾路1号 变更后:215301 江苏省苏州市昆山市龙腾路1号 |
| 2021-03-23 | 授权 | 授权 |
| 2018-12-18 | 公开 | 公开 |
| 2019-01-11 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/77 申请日:20180629 |