氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN201510053760.3
申请日
2015-02-02
公开(公告)号
CN104637872B
公开(公告)日
2015-05-20
发明(设计)人
何佳新
申请人
申请人地址
215301 江苏省苏州市昆山市龙腾路1号
IPC主分类号
H01L2177
IPC分类号
G03F700
代理机构
上海波拓知识产权代理有限公司 31264
代理人
蔡光仟
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P]. 
钟德镇 ;
刘仕彬 .
中国专利 :CN109037150B ,2018-12-18
[2]
金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及制作方法 [P]. 
何佳新 .
中国专利 :CN110867458B ,2020-03-06
[3]
氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法 [P]. 
林钦遵 ;
谢应涛 .
中国专利 :CN106057679A ,2016-10-26
[4]
金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法 [P]. 
邹忠飞 .
中国专利 :CN104505372A ,2015-04-08
[5]
金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置 [P]. 
钟德镇 ;
蒋隽 .
中国专利 :CN115036271B ,2024-04-30
[6]
金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置 [P]. 
钟德镇 ;
蒋隽 .
中国专利 :CN115036271A ,2022-09-09
[7]
氧化物半导体薄膜晶体管基板 [P]. 
张锡明 .
中国专利 :CN203423181U ,2014-02-05
[8]
金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P]. 
何佳新 .
中国专利 :CN107393932B ,2017-11-24
[9]
氧化物薄膜晶体管及包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板 [P]. 
杨熙正 ;
扈源俊 ;
金娥罗 .
中国专利 :CN104681623A ,2015-06-03
[10]
金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的返工方法 [P]. 
李博丹 .
中国专利 :CN115172386B ,2025-10-31