金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310503418.X

申请日：

2013-10-23

公开(公告)号：

CN103579361A

公开(公告)日：

2014-02-12

发明(设计)人：

钟德镇邵金凤戴文君

申请人：

申请人地址：

215301 江苏省苏州市昆山市龙腾路1号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

上海波拓知识产权代理有限公司 31264

代理人：

苗燕

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-12	公开	公开
2018-01-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/786 申请公布日:20140212
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101578332983 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:201310503418X 申请日:20131023

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

王磊 ;

林振国 .

中国专利 :CN103794652A ,2014-05-14

[2]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法 [P].

简廷宪 ;

钟德镇 ;

吴婷婷 ;

戴文君 .

中国专利 :CN103824887B ,2014-05-28

[3]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

崔淳浩 ;

文成龙 .

中国专利 :CN107690696A ,2018-02-13

[4]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

王航 .

中国专利 :CN114823915A ,2022-07-29

[5]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

张宁 .

中国专利 :CN108598171A ,2018-09-28

[6]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

王盛民 ;

尹柱善 ;

徐泰安 ;

金正晥 .

中国专利 :CN102468341A ,2012-05-23

[7]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

刘胜芳 ;

平山秀雄 .

中国专利 :CN104752516A ,2015-07-01

[8]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

金光淑 ;

金民圭 .

中国专利 :CN102097487A ,2011-06-15

[9]

互补金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

苏宇永 .

中国专利 :CN1222039C ,2003-07-23

[10]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

刘启晗 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

王琦男 .

中国专利 :CN109767988A ,2019-05-17

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