氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310737670.7

申请日：

2013-12-27

公开(公告)号：

CN104752516A

公开(公告)日：

2015-07-01

发明(设计)人：

刘胜芳平山秀雄

申请人：

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市昆山高新区晨丰路188号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

唐清凯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-01	公开	公开
2019-08-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/786 申请公布日:20150701
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618650031 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2013107376707 申请日:20131227

共 50 条

[1]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

崔淳浩 ;

文成龙 .

中国专利 :CN107690696A ,2018-02-13

[2]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

王航 .

中国专利 :CN114823915A ,2022-07-29

[3]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

张宁 .

中国专利 :CN108598171A ,2018-09-28

[4]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

王盛民 ;

尹柱善 ;

徐泰安 ;

金正晥 .

中国专利 :CN102468341A ,2012-05-23

[5]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

金光淑 ;

金民圭 .

中国专利 :CN102097487A ,2011-06-15

[6]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

钟德镇 ;

邵金凤 ;

戴文君 .

中国专利 :CN103579361A ,2014-02-12

[7]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

吕雅茹 ;

吴国伟 ;

曹文光 ;

苏正芳 ;

高金字 .

中国专利 :CN105374881A ,2016-03-02

[8]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

竹知和重 .

中国专利 :CN114530505B ,2025-09-12

[9]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

张锡明 .

中国专利 :CN103354244B ,2013-10-16

[10]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

竹知和重 .

中国专利 :CN114530505A ,2022-05-24

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