氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110208118.X

申请日：

2011-07-19

公开(公告)号：

CN102468341A

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

王盛民尹柱善徐泰安金正晥

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204

代理人：

余朦;王艳春

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101546534399 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:201110208118X 申请日:20110719
2012-05-23	公开	公开
2016-10-05	授权	授权
2012-11-21	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101466545636 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:201110208118X 变更事项:申请人变更前权利人:三星移动显示器株式会社变更后权利人:三星显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121019

共 50 条

[1]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

崔淳浩 ;

文成龙 .

中国专利 :CN107690696A ,2018-02-13

[2]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

王航 .

中国专利 :CN114823915A ,2022-07-29

[3]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

张宁 .

中国专利 :CN108598171A ,2018-09-28

[4]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

刘胜芳 ;

平山秀雄 .

中国专利 :CN104752516A ,2015-07-01

[5]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

金光淑 ;

金民圭 .

中国专利 :CN102097487A ,2011-06-15

[6]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

钟德镇 ;

邵金凤 ;

戴文君 .

中国专利 :CN103579361A ,2014-02-12

[7]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

吕雅茹 ;

吴国伟 ;

曹文光 ;

苏正芳 ;

高金字 .

中国专利 :CN105374881A ,2016-03-02

[8]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

竹知和重 .

中国专利 :CN114530505B ,2025-09-12

[9]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

张锡明 .

中国专利 :CN103354244B ,2013-10-16

[10]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

竹知和重 .

中国专利 :CN114530505A ,2022-05-24

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