互补金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02157810.9

申请日：

2002-12-19

公开(公告)号：

CN1222039C

公开(公告)日：

2003-07-23

发明(设计)人：

苏宇永

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101465345547 IPC(主分类):H01L 27/092 专利号:ZL021578109 变更事项:专利权人变更前权利人:三星移动显示器株式会社变更后权利人:三星显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121018
2018-02-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20021219 授权公告日:20051005 终止日期:20161219
2003-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-02-11	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:三星SDI株式会社变更后权利人:三星移动显示器株式会社变更事项:地址变更前:韩国京畿道变更后:韩国京畿道登记生效日:20090109
2003-07-23	公开	公开
2005-10-05	授权	授权

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法 [P].

黄义勋 .

中国专利 :CN101127328A ,2008-02-20

[2]

互补金属氧化物半导体薄膜晶体管和制造其的方法 [P].

黄义勋 .

中国专利 :CN1716571A ,2006-01-04

[3]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

钟德镇 ;

邵金凤 ;

戴文君 .

中国专利 :CN103579361A ,2014-02-12

[4]

互补金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法 [P].

朱宰一 .

中国专利 :CN1104744C ,1998-10-28

[5]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

张宁 .

中国专利 :CN108598171A ,2018-09-28

[6]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

金光淑 ;

金民圭 .

中国专利 :CN102097487A ,2011-06-15

[7]

金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

刘启晗 ;

赵春 ;

赵策洲 ;

杨莉 ;

王琦男 .

中国专利 :CN109767988A ,2019-05-17

[8]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

王磊 ;

林振国 .

中国专利 :CN103794652A ,2014-05-14

[9]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

吕雅茹 ;

吴国伟 ;

曹文光 ;

苏正芳 ;

高金字 .

中国专利 :CN105374881A ,2016-03-02

[10]

氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

崔淳浩 ;

文成龙 .

中国专利 :CN107690696A ,2018-02-13

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