互补金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710141862.6

申请日：

2007-08-14

公开(公告)号：

CN101127328A

公开(公告)日：

2008-02-20

发明(设计)人：

黄义勋

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2184

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人：

韩明星;冯敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-20	公开	公开
2009-02-18	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:三星SDI株式会社变更后权利人:三星移动显示器株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道水原市变更后权利人:韩国京畿道水原市登记生效日:20090116
2012-12-26	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101490166054 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利号:ZL2007101418626 变更事项:专利权人变更前权利人:三星移动显示器株式会社变更后权利人:三星显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道水原市变更后权利人:韩国京畿道龙仁市登记生效日:20121126
2009-07-29	授权	授权
2008-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体薄膜晶体管和制造其的方法 [P].

黄义勋 .

中国专利 :CN1716571A ,2006-01-04

[2]

互补金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

苏宇永 .

中国专利 :CN1222039C ,2003-07-23

[3]

互补式金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法 [P].

廖盈奇 ;

陈明炎 ;

陈亦伟 ;

郑逸圣 .

中国专利 :CN100583417C ,2008-03-26

[4]

金属氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

戴谦邦 ;

黄隽尧 ;

彭郁芩 ;

黄科铨 .

中国专利 :CN203644792U ,2014-06-11

[5]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

岛田干夫 .

中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10

[6]

互补式金属氧化物半导体薄膜晶体管组件的制造方法 [P].

罗平 .

中国专利 :CN1230891C ,2004-09-08

[7]

氧化物半导体、薄膜晶体管以及制造薄膜晶体管的方法 [P].

姜东勋 ;

宋利宪 ;

朴永洙 ;

金昌桢 ;

李银河 ;

李在喆 .

中国专利 :CN101339954A ,2009-01-07

[8]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

[9]

晶体氧化物半导体薄膜、晶体氧化物半导体薄膜的制造方法以及薄膜晶体管 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

霍间勇辉 ;

笘井重和 ;

江端一晃 .

中国专利 :CN107924822A ,2018-04-17

[10]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

黄金海 ;

孙伯彰 ;

黄思齐 .

中国专利 :CN103474468A ,2013-12-25

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