互补式金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710169933.3

申请日：

2007-11-08

公开(公告)号：

CN100583417C

公开(公告)日：

2008-03-26

发明(设计)人：

廖盈奇陈明炎陈亦伟郑逸圣

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹市

IPC主分类号：

H01L2184

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

任默闻

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-20	授权	授权
2008-03-26	公开	公开
2008-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

互补式金属氧化物半导体薄膜晶体管组件的制造方法 [P].

罗平 .

中国专利 :CN1230891C ,2004-09-08

[2]

互补金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法 [P].

黄义勋 .

中国专利 :CN101127328A ,2008-02-20

[3]

互补金属氧化物半导体薄膜晶体管和制造其的方法 [P].

黄义勋 .

中国专利 :CN1716571A ,2006-01-04

[4]

互补金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

苏宇永 .

中国专利 :CN1222039C ,2003-07-23

[5]

互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法 [P].

梁佳文 ;

黄正同 ;

丁世汎 ;

吴志强 ;

徐世杰 ;

郑礼贤 ;

李坤宪 ;

吴孟益 ;

洪文瀚 ;

郑子铭 .

中国专利 :CN101355054A ,2009-01-28

[6]

金属氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

戴谦邦 ;

黄隽尧 ;

彭郁芩 ;

黄科铨 .

中国专利 :CN203644792U ,2014-06-11

[7]

互补式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

洪文瀚 ;

黄正同 ;

李坤宪 ;

丁世汎 ;

郑礼贤 ;

吴孟益 ;

石忠民 ;

郑子铭 ;

梁佳文 .

中国专利 :CN101286478A ,2008-10-15

[8]

氧化物半导体薄膜晶体管 [P].

岛田干夫 .

中国专利 :CN101884110A ,2010-11-10

[9]

互补式金属氧化物半导体晶体管元件及其制作方法 [P].

林建廷 ;

陈亮玮 ;

许哲华 ;

李孟麟 ;

张惠贞 ;

萧维沧 .

中国专利 :CN1909233A ,2007-02-07

[10]

氧化物半导体、薄膜晶体管以及制造薄膜晶体管的方法 [P].

姜东勋 ;

宋利宪 ;

朴永洙 ;

金昌桢 ;

李银河 ;

李在喆 .

中国专利 :CN101339954A ,2009-01-07

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